長期經營績效良好的"晶片設計"公司，在市場上隨便抓都一大把。但是長期經營績效良好的"晶圓製造"公司，卻非常稀少。這意味著晶圓製造經營的難度超乎一般人的想像，晶圓製造絕非只是買買儀器，來料加工如此簡單。以全球前10大晶圓代工公司為例，長期經營績效良好的只有屈指可數的兩家，也就是"台積電"和"世界先進"。其中，目前台積電的規模已經稱霸晶圓製造行業，遠遠拋開其他公司。也就是說，其他公司要生存，只能聚焦在"特殊製程"，走"利基型"經營，如"世界先進"。這邊就來簡單理解一下特殊製程、成熟邏輯製程晶圓製造服務公司，聯電。聯電這幾年經營績效有明顯改善。
聯電，主要提供晶圓製造服務，聚焦在"邏輯製程"、各式"特殊製程"及完善的解決方案。
目前聯電提供完整的12吋及8吋晶圓製造代工服務，其製程技術節點橫跨12奈米到0.6微米。客戶可以根據其IC產品之需求，選擇適合的製程節點及技術，如互補金屬氧化半導體邏輯（CMOS Logic）、立體鰭式場效電晶體（3D FinFET）、射頻互補金屬氧化半導體 （RF CMOS）、嵌入式非揮發性記憶體（Embedded Non Volatile Memory）、嵌入式高壓（Embedded High Voltage）、BCD（Bipolar - CMOS - DMOS）、射頻絕緣上覆矽（RFSOI）、砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、2.5D／3D 先進封裝等各式製程。客戶完成產品設計定案後，交由聯電依規格製造生產。
聯電十二座晶圓廠分佈於亞洲各地，提供多元化且具有韌性的供應鏈，其中四座是先進的 12 吋廠。台灣、新加坡、日本和中國大陸的生產基地為客戶提供彈性供應鏈選擇。隨著新加坡P3擴廠的完成，及與英特爾在美國亞利桑那州的量產計畫，聯電將在多變的地緣政治環境中提供更多選擇與服務。
在製程品質端，聯電在多個特殊製程領域已佔有領先地位，如嵌入式高壓（eHV）、RFSOI、及嵌入式非揮發記憶體製程（eNVM）等。
聯電與英特爾（Intel）合作共同開發的12奈米平台順利推進，為客戶提供先進技術藍圖，並在特殊製程開發中鞏固市場領先地位，避開產能過剩壓力。同時，聯電積極佈局先進封裝技術，以迎接AI與邊緣運算時代。
以下為聯電主要製程技術與相對應之用途
邏輯製程解決方案
(1)互補金屬氧化半導體邏輯（CMOS Logic）製程：
用以製造執行邏輯運算功能之晶片，如特定應用處理器、可程式化閘陣列、及各式多媒體處理器等晶片。
(2)立體鰭式場效電晶體（3D FinFET）製程：
相較於28及 22奈米以上節點所用之傳統平面式電晶體元件製程，3D FinFET製程更適用於強調高性能低耗電之高階邏輯運算應用，如手機基頻處理器、應用處理器、高速記憶體控制器等晶片。
特殊製程解決方案
(1)射頻互補金屬氧化半導體（RF CMOS）製程：
用以製造高頻無線通訊之晶片，如手機射頻收發器、無線區域網路、藍芽通訊等晶片。
(2)嵌入式非揮發性記憶體（Embedded Non Volatile Memory）製程：
用以製造整合邏輯和嵌入式記憶體製程 (Emb-Flash／RRAM／MRAM )的晶片，如通用型微控制器、觸控晶片、智慧卡晶片、金融卡晶片、車規微控制器、物聯網低功耗微控制器等晶片。
(3)嵌入式高壓（Embedded High Voltage）製程：
用以製造手機、電視、平板、AR／VR等LCD與OLED面板所需之顯示驅動IC、電子紙螢幕驅動IC等晶片。
(4)BCD（Bipolar - CMOS - DMOS）製程：
用以製造各式電源管理及電源轉換等晶片，廣泛用於手機、筆記型電腦、汽車、電視、平板及各式工控電子產品。
(5)射頻絕緣上覆矽（RFSOI）製程：
用以製造手機、無線區域網路、無線基地台前端裝置所需之射頻開關及低噪放大器等晶片。
(6)砷化鎵（GaAs）製程：
用以製造手機、通訊基地站所需之無線射頻前端相關晶片。
(7)氮化鎵（GaN）製程：
用以製造通訊基地站之5G射頻前端相關晶片，以及用於搭配手機、平板、筆記型電腦等高功率密度行動充電器、資料伺服器的電源供應器、電動車車載充電器所需之晶片。
(8)MEMS製程：
聯電提供 8 吋廠製造產能以及完備技術支援，已有麥克風、慣性感測器、壓力感測器及環境感測器 (溫、溼度計，氣體感測器) 等的 MEMS 產品獲得亮眼成果。目前 MEMS 出貨已超過數十萬片。
(9)CMOS 影像感測器:
聯電提供客戶 CMOS 影像感測器代工服務以支援各項應用，例如照相手機、遊戲機、監控設備、光學滑鼠、醫療設備、車用環景視覺等。
(10)2.5D／3D先進封裝製程：
廣泛用在各式應用場景，如高效能電腦運算、5G智慧手機鏡頭模組、人工智慧邊緣裝置、及車用先進晶片等之製造。
以應用來區分，聯電的產品應用在:
車用
連網、自駕、共享和電動，這些車輛發展趨勢使車用半導體需求呈現前所未有的成長。聯電的車用服務解決方案支援各種車用領域的晶片，包括動力系統、資訊娛樂、通訊，以及安全機制和先進駕駛輔助系統 (ADAS)。聯電現有的晶圓廠皆擁有 IATF 16949 品質認證，確保車規等級的可靠度與品質，建構可信任的供應鏈。
(a)電動化
電動化正在加速汽車產業轉型，也推動市場對高電壓、高效能和高可靠性晶片的需求。聯電提供全方位的 BCD 及 eNVM 解決方案，適用於高效能電源、馬達控制和智慧型電池管理，為新一代電動與混合動力車輛提供電力。
相關技術有:BCD，MOSFET/IGBT，eNVM。
(b)通訊
隨著車聯網和即時數據需求日益增加，汽車製造商需要搭載支援 5G/6G、乙太網路、Wi-Fi、藍牙及車聯網 (V2X) 技術的先進晶片。聯電高效能、低功耗的解決方案，實現快速和穩定的通訊，為汽車產業帶來更安全、更智慧化的創新突破。
相關技術有:Logic/MS，RFCMOS，RFSOI，eNVM。
(c)自動駕駛
隨著車輛自動化程度提升，自駕系統更仰賴先進的感測器、處理器和連線能力進行即時決策。聯電的平台強化了各式車用感測器，包括雷達、光達、攝影機和熱感測器，提供即時環境感知，進而提升行車安全性。
相關技術有:Logic/MS，mmWave，eNVM，BCD， CIS，2.5D/3D IC。
(d)智慧座艙
智慧座艙系統藉由無縫整合顯示器、資訊娛樂系統和輔助駕駛功能，重新定義駕駛體驗。聯電的高效能、節能且高可靠性平台，協助汽車製造商打造智慧化且互動性更高的座艙環境。
相關技術有:Logic/MS，RFCMOS，eHV，BCD，eNVM。
通訊
5G以及即將來臨的6G，正在徹底改變通訊基礎設施，讓無縫連線體驗無所不在。聯電提供量身打造的解決方案和元件，協助客戶開發領先業界的有線和無線通訊晶片，以滿足新世代網路不斷演變的需求。
(a)5G/6G
5G的普及與6G的發展，驅動了對快速通訊的需求，同時也帶來了整合更多射頻元件以及支援更多元應用的挑戰。聯電的先進封裝技術、RF SOI 和毫米波技術，加速高速通訊的發展，並實現高度整合的解決方案。
相關技術有:Logic/MS，RFCMOS，mmWave，RFSOI，BCD。
(b)Wi-Fi
高頻寬 Wi-Fi 是現代連網裝置不可或缺的一環，提升對覆蓋範圍和多裝置連線的需求。聯電實現 Wi-Fi MAC、基頻、PHY 和射頻前端 (RFFE) 的整合，滿足下一代應用對高效能、廣域覆蓋及多裝置連線的需求。
相關技術有: Logic/MS，RFCMOS，RFSOI，BCD。
(c)Gigabit Ethernet
隨著對高速網路的需求不斷增長，效率和訊號完整性也變得日益重要。聯電先進高速與低雜訊技術，協助客戶開發高品質且高速的 Gigabit Ethernet 解決方案。
相關技術有:Logic/MS。
(d)藍牙
藍牙技術支援智慧物聯網、穿戴式與車用裝置發展，但同時也面臨功耗效率、訊號完整性和尺寸的挑戰。聯電的超低功耗和先進的射頻技術，可延長電池壽命並改善音訊接收，高度整合的 SoC 解決方案則將關鍵的各項功能整合到單一晶片中，實現更精巧的設計。
相關技術有:Logic/MS，RFCMOS，eNVM。
消費性電子
AI、沉浸式數位環境與無所不在的連線，正在重新定義未來的工作場域、家庭和娛樂方式。聯電的技術為智慧型手機、個人電腦、擴增實境和虛擬實境裝置等提供高效能、低功耗的晶片，滿足多元應用需求。
(a)智慧型手機
聯電多元的特殊製程技術，例如 eHV、RFSOI 及 BCD，能為智慧型手機提供絕佳的視覺和聽覺體驗，並延長電池使用壽命。無論使用 5G/6G 或 Wi-Fi，聯電的連線解決方案都能確保快速且穩定的連線品質。
相關技術有:eHV，BCD，RFSOI，CIS，Logic/MS，RFCOMS，2.5D/3D IC。
(b)智慧電視
智慧電視是串流媒體的入口，也是智慧家庭的控制中樞。聯電提供先進的解決方案，包括整合從連線到顯示控制功能的數位電視 SoC，以及用於呈現清晰畫面的 eHV 技術。
相關技術有:eHV，BCD，RFSOI，Logic/MS，RFCMOS。
(c)電腦與筆記型電腦
越來越多個人電腦和筆記型電腦藉由整合 AI 功能，提升使用者的體驗。聯電的邏輯和特殊製程平台，結合先進的封裝技術，實現小型化、高效能運算，滿足未來智慧應用的需求。
相關技術有: eHV，BCD，RFSOI，CIS，Logic/MS，RFCMOS，2.5D/3D IC。
(d)擴增實境與虛擬實境
隨著沉浸式體驗和即時顯示技術的進步，AR/VR 市場正在快速成長。聯電高效的 eHV 解決方案支援微型顯示器，並提供RFCMOS高速數據串流與多元感測解決方案，提升互動性和環境感知，帶來更真實的沉浸式體驗。
相關技術:eHV，BCD，RFSOI，RFCMOS，2.5D/3D IC，eNVM。
物聯網
從穿戴式裝置到智慧家庭和建築，物聯網為多元應用提升了安全性、便利性和永續性。聯電以多元的製程技術，提供感測、連線、自動化及控制所需的晶片，推動物聯網的未來發展。
(a)穿戴裝置
智慧手錶、智慧手環和智慧眼鏡等穿戴式裝置，對輕薄設計與高能效有極高要求。聯電的邏輯/混合訊號和 eNVM 技術實現高度整合與小型化設計需求，超低功耗製程則延長電池壽命，全面提升整體使用者體驗。
相關技術:Logic/MS，RFCMOS，RFSOI，BCD，eHV，eNVM，MEMS。
(b)智慧家庭
智慧家庭系统仰賴高速、穩定的連線以及多功能的整合。聯電提供無線通訊和物聯網晶片技術，實現智慧家庭裝置之間的高效連結，並提供感測、電源管理和顯示晶片，驅動智慧家庭的多元應用。
相關技術:Logic/MS，RFCMOS，RFSOI，BCD，eHV，eNVM。
(c)智慧建築
連網技術應用於智慧建築，不僅提升安全性，也促進環保與永續發展。聯電的無線解決方案支援 Wi-Fi、藍牙和 Zigbee，打造無縫的設備整合與自動化體驗，同時將 RFCMOS 和超低功耗感測器晶片廣泛應用於環境監測，實現即時資料收集和智慧建築管理。
相關技術:Logic/MS，RFCMOS，RFSOI，BCD，eHV，eNVM。
(d)感測器和智慧標籤
感測器與智慧標籤是智慧醫療、工業自動化、零售等領域的關鍵元件。聯電的先進 RFCMOS 技術可在單一晶片上整合感測、訊號處理及無線通訊，其超低功耗設計能進一步延長裝置電池壽命，滿足現代智慧應用的多元需求。
相關技術: Logic/MS，RFCMOS，BCD，eHV，eNVM，MEMS。
人工智慧
人工智慧解決方案的需求正迅速擴展至各種應用領域—從資料中心、雲端運算到邊緣裝置和自動化系統。聯電運用多元的特殊製程和先進封裝技術，開發出高效能的半導體晶片，推動從雲端到邊緣的 AI 創新，為日常生活帶來更豐富的智慧體驗。
(a)雲端 AI 訓練與推論
生成式 AI 的成長正在帶動資料中心和高效能運算應用對超高速資料的需求。聯電的中介層與先進封裝技術可實現晶片的高密度整合，提升頻寬與能源效率。此外，聯電也正在開發用於下一代資料中心架構的矽光子技術。
相關技術: Logic/MS，2.5D/3D IC。
(b)邊緣 AI
隨著 AI 快速從雲端轉移至邊緣，晶片設計面臨在運算效能、體積與功耗間取得平衡的挑戰。聯電的先進封裝技術可實現 3D 整合，在小巧的設計中提供更高的效能和頻寬。聯電的BCD技術並能提升裝置的能源效率，滿足邊緣AI應用的需求。
相關技術: Logic/MS，2.5D/3D IC，BCD，RFSOI。
(c)無人機及監控
無人機和監控系統廣泛應用於公共安全、災害應變和交通管理，需要即時資料處理和低功耗的技術支援。聯電結合RF CMOS、先進封裝和 BCD 技術，提供高效能、低功耗晶片，提升系統傳輸效能，滿足多元應用需求。
相關技術: Logic/MS，RFCMOS，BCD，RFSOI，2.5D/3D IC。
(d)機器人
半導體是機器人技術發展的基礎。聯電的技術為現代機器人提供大腦、微控制器、感測能力和電源管理，進而推動各產業及日常生活的自動化創新。
相關技術: Logic/MS，BCD，eNVM，2.5D/3D IC。
產業概況
近年來人工智慧、雲端與邊緣運算、車用電子／電動車、智慧手機、物聯網、元宇宙…等應用逐漸多元化，也促使半導體產業規模持續成長。大型雲端業者持續導入高階伺服器，以積極進行AI大型語言模型訓練及推論。此高效能算力之強勁需求，將持續帶動先進製程及先進封裝的高速成長。在成熟製程方面，雖然半導體產業已逐漸擺脫庫存調整陰霾，但消費電子終端需求平淡，導致相關領域晶圓代工需求僅微幅成長。
專業晶圓代工製造在半導體產業供應鏈中扮演的角色至關重要。無晶圓廠IC設計公司與晶圓代工廠商合作的運營模式，經過數十年的演進已成為半導體產業的發展主流。許多整合元件製造廠商基於成本效益之考量，陸續選擇不再自行建廠投入先進晶圓製造，轉而提高委外晶圓代工之比例。此外，有些系統品牌廠商亦進行自有晶片之開發，並委外於晶圓代工廠生產製造。這些長期產業趨勢均有利於晶圓代工產業的持續成長。
回顧近年半導體產業發展，記憶體和邏輯領域的成長尤為顯著，此增長主要受惠於人工智慧和高效能運算應用的需求所推動，尤其是對高算力晶片和記憶體晶片的需求大幅增加。與此同時，離散元件、光電元件、感測器和類比半導體等其他類別則出現微幅下降。在成熟製程方面，人工智慧邊緣運算應用之拓展，為成熟製程晶圓代工成長的有利因素。
聯電，是一家特殊製程、成熟邏輯製程晶圓製造服務公司，2025年營收有2376億，近5年ROE為11%，13%，18%，29%，21%。毛利率為29%，33%，35%，45%，34%。資產負債率為34%，34%，36%，37%，40%。以製程來看，在2025年，22/28nm佔37%、40nm佔16%、65nm佔17%、90nm佔8%、0.11/0.13um佔7%、0.15/0.18um佔10%、0.25/0.35um佔4%、≥0.5um佔1%；產品終端應用比重為通訊佔41%、消費性佔31%、電腦佔12%、其他佔16%。從客戶別來看，設計公司佔81%、整合元件廠佔19%；產品銷售地區比重以亞洲佔65%、北美佔22%、歐洲佔9%、日本佔4%。聯電客戶有聯發科，聯詠，Samsung，Qualcomm......等等。
競爭
聯電競爭對手有括台積電（TSMC）、三星（Samsung Foundry）、中芯半導體（SMIC）與格芯（GlobalFoundries）等廠商。
市佔率
以2025年第三季全球晶圓代工市場為例，聯電市佔率為4.2%。
以下為聯電未來聚焦之技術:
(a)12奈米FinFET製程技術平台（12FFC）
聯電目前積極開發的12奈米鰭式場效電晶體製程平台（12FFC, 12nm FinFET Compact），相對於14FFC，性能有大幅提升，晶片尺寸更小，功耗更低，在 FinFET製程平台更具有競爭的優勢，有助於驅動次世代矽晶片於網路、人工智慧與更高階消費性電子產品上的應用。
聯電也與英特爾進行在美國製造的12奈米FinFET製程合作，是聯電追求具成本效益的產能擴張，和技術節點升級策略的重要一環，更是延續對客戶的一貫承諾。目前12奈米的合作進展順利。
(b)2.5D & 3DIC異質整合封裝技術
聯電積極開發之先進封裝（2.5D and 3DIC）解決方案已取得多項成果。在移動設備之射頻元件應用方面，利用晶圓級混合鍵合技術（W2W hybrid bonding），達成尺寸微縮（Form factor reduction）的優勢。
在邊緣人工智慧（Edge AI）方面，與供應鏈建立W2W 3D IC 專案，進入邏輯晶片與客製化記憶體的異質整合驗證；在高效能運算（HPC）與雲端人工智慧（Cloud AI）應用方面，成功研發在矽中介層 （Si interposer）中加入深溝槽電容（DTC, Deep Trench Capacitor），能為2.5D封裝晶片提供優異的電源完整性（PI, Power Integrity）。
(c)矽光子技術
聯電與全球領先的先進半導體技術創新研發中心imec簽署技術授權協議，取得imec iSiPP300矽光子製程，該製程具備共封裝光學(Co-Packaged Optics, CPO)相容性，將加速聯電矽光子技術發展藍圖。
隨著AI數據負載日益增加，傳統銅互連面臨瓶頸，矽光子技術以光傳輸數據，正快速發展以滿足資料中心、高效能運算及網路基礎設施對超高頻寬、低延遲及高能源效率的需求。聯電將結合imec經驗證的12吋矽光子製程技術、加上自身在絕緣層上覆矽(Silicon-On-Insulator, SOI)晶圓製程的專業，以及過往8吋矽光子量產經驗，為客戶提供高度可擴展的光子晶片(Photonic Integrated Circuits, PIC)平台。
不利因素
(1)中國大陸為發展半導體供應鏈自主，因先進技術和設備輸入受到限制，轉而大舉擴建半導體成熟製程產能，並積極補貼扶植國內廠商；中國大陸的半導體競爭者，得以借力政府補助而降價拓市。研判隨著中國大陸半導體產能陸續開出，競爭態勢將更加嚴峻。。
(2)地緣政治風險為晶圓代工產業發展之一大變數，近年來美中貿易戰與科技制裁升溫，須持續觀察相關的出口管制及法規限制可能造成之潛在不利影響。
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