MOSFET離散功率元件設計公司，全宇昕(6651.TW)

來簡單理解一下，MOSFET離散功率元件設計公司，全宇昕。

全宇昕，係為一無廠半導體元件設計公司(Fabless Semiconductor Company，簡稱 Fabless)，主要從事分離式半導體元件之設計、研發及銷售等業務，其產品設計完成後，委由專業晶圓代工廠製作成晶圓半成品，通過前段測試後轉予專業封裝廠進行切割及封裝，最後由專業測試廠進行後段測試完成而為成品。公司主要銷售之產品為金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET)、雙載子接面電晶體(BJT)及二極體(Diode)，廣泛應用於直流風扇、網路通訊設備、電腦電視顯示器、車用電子及電源供應器與照明等領域之電力電子元件。

功率元件

功率半導體主要可分為功率 IC 和功率離散元件（包括 MOSFET、IGBT 等）， 用於控制和處理高電流和高電壓。功率離散元件廣泛應用於幾乎所有的電器和電子系統，如汽車、消費電子、工業自動化等。從應用細分來看，大約 29% 應用於工業，28% 應用於汽車，15% 應用於通信，消費性佔 13%，電腦佔 10%，軍事/航空佔 5%。

功率電晶體應用領域非常廣泛，因其特性可承受高電壓(12V~1,400V 以上)、大電流(數安培至數十安培)等應用領域，如電源供應器、變壓器(AC adapter)、汽車 ABS 電路、安全氣囊、日光照明電子安定器等；再者，由於其切換效率與低阻抗(省電) 特性，配合薄型封裝，特別適合應用於行動式電子產品，如手機、筆記型電腦、鋰電池等。總結來說，其應用主要可分為功率轉換應用(Power conversion)、功率放大作用(Amplification)、切換開關(Switch)、線路保護(Protection)、整流(Rectify)等。

據市調公司 Yole Developpement預測，功率半導體元件市場將從 2020 年的約 175 億美元，成長至 2026 年的 260 億美元，年複合增長率達 6.9%，其中 MOSFET、IGBT 及 SiC 技術更將扮演要角。

碳化矽(SiC)功率元件

碳化矽(Silicon Carbide；SiC)元件係由矽(Si)與碳(C)所組成之化合物半導體材料，利用高速元件構造之多數載子元件(蕭特基二極體與 MOSFET)，絕緣破壞電場強度與 Si 相比約 10 倍高，600V～數千 V 的高耐壓功率元件相較於 Si 元件，可製作高摻雜物濃度且薄膜厚的漂移層，具備高導熱特性，加上其材料的寬能隙(Wide Band Gap)特性可耐高壓、可承受大電流，適合應用在高溫操作的功率元件領域。 由於 SiC 可同時實現高耐壓、低導通電阻與高速，將推動未來二十年的功率元件發展，隨著 SiC 逐漸普及於馬達、PV 逆變器與空調等電力轉換應用，各種安全工程、 鐵路、資訊技術、新能源、節能設備與城市基礎設備計劃的巨大需求出現，加上電力公司、汽車製造商與電子廠商的期待，SiC 功率半導體可望進一步迎來材料的更新換代。

TrendForce 表示，SiC 功率元件的前兩大應用為電動車與再生能源領域，分別在 2022 年已達到 10.9 億美元及 2.1 億美元，占整體 SiC 功率元件市場產值約 67.4%和 13.1%。至 2026 年 SiC 功率元件市場產值可望達 53.3 億美元。主流應用仍倚重電動車及再生能源，電動車產值可達 39.8 億美元、CAGR 約 38%；再生能源達 4.1 億美元、CAGR 約 19%。

全宇昕，是一家MOSFET離散功率元件設計公司，近2年ROE為29%，34%。毛利率為39%，36%。資產負債率為36%，34%。2022年銷售產品以MOSFET佔83%，BJT佔9%，二極體佔7%，其它佔1%。  銷售區域以亞洲佔68%，內銷佔31%，歐美佔1%。公司直接銷售予製造商之比率逾七成

競爭

目前全球功率半導體最先進的技術開發仍掌握在歐、美、日本的國際整合元件大廠(IDM)上，如歐洲的 Infineon 與 STMicro、日本的 Mitsubishi 與 Toshiba、美國的 On Semiconductor 等。歐美日的功率離散元件大多是 IDM 模式，擁有完整的晶圓廠和封裝廠，例如英飛淩(Infineon)、安森美(On Semi)等龍頭企業均為 IDM 模式。功率離散元件行業集中度很高。