微影設備製造商，艾司摩爾(ASML.US)

當今最先進的處理器是基於台積電Logic N4節點，下一代晶片設計將包括更先進的材料、新的封裝技術和更複雜的3D設計IC。ASML艾司摩爾則是透過微影設備來最小化電晶體。來簡單理解一下，微影設備製造商，艾司摩爾(ASML.US)。

IC製造的流程是將晶圓廠所做好的晶圓，以光罩印上電路基本圖樣，再以氧化、擴散、CVD、蝕刻、離子植入等方法，將電路及電路上的元件，在晶圓上製作出來。由於IC上的電路設計是層狀結構，因此還要經過多次的光罩投入、圖形製作、形成線路與元件等重複程序，才能製作出完整的積體電路。

晶片是由約50至150 nm厚的層組成，這些層一次一層地構建在半導體基板上。一些晶片最多可以有150層或更多層，複雜程度各不相同。通常，最複雜的層位於底部，最不復雜的層位於頂部。最先進的晶片需要EUV極紫外光的微影和DUV浸潤式微影設備來製造。當然也可以使用DUV dry工具來生產較簡單的晶片，例如用於物聯網應用的感測器。 

微影系統本質上是一個投影系統，利用光線穿透印有電路圖的光罩，在矽晶片上投印出電路圖。光罩上的電路圖是實際在晶片上呈現圖案的4倍大。透過光線投射出光罩上的圖案，微影系統中的光學元件會微縮並將圖案聚焦到感光的矽晶圓上。當圖案印好之後，系統會稍微移動晶圓，並在晶圓上進行另一次複製。要投印因層而異，這意味著不同類型的微影系統用於不同的層——艾司摩爾最新一代的EUV系統用於具有最小的最關鍵層，以及ArFi、ArF、KrF和i-line系統用於不太關鍵的層。

縮小的主要驅動因素之一是微影系統可以達到的分辨率，這主要取決於所用光的波長和光學元件的numerical aperture。較短的波長和較大的numerical aperture會帶來更好的分辨率。

λ (lambda) 是所用光源的波長，波長越小，可以列印的結構越小。艾司摩爾的DUV深紫外光微影系統現在是行業主力。多年來，ASML的微影系統的範圍從365nm（i-line）、248nm (KrF)到193nm (ArF)。借助極紫外光 (EUV) 系統，ASML在大批量製造中提供最高分辨率的微影，可以產生波長僅為13.5nm的EUV光。

NA是numerical aperture，表示光的入射角——使用更大的NA透鏡/反射鏡，可以列印更小的結構。除了更大的鏡頭，ASML通過在最後一個鏡頭元件和晶圓之間保持一層薄薄的水膜來增加ArF系統的NA，利用水的breaking index來增加NA（所謂的浸潤式系統）。在波長進入EUV後，ASML正在開發下一代EUV系統，稱為EUV 0.55 NA（High-NA），將numerical aperture0.33提高到0.55。

ASML艾司摩爾，是一家微影設備製造商，近5年ROE為49%，27%，21%，23%，21%。毛利率為53%，49%，45%，46%，45%。資產負債率為66%，49%，44%，42%，41%。2021年銷售佔76%，服務佔24%。其中銷售設備以EUV佔設備的46%，ArFi佔設備36%，ArF dry佔設備3%，KrF佔設備9.7%，I-line佔設備1%，計量檢測設備佔3.7%。公司產品應用以Logic ic佔70%，記憶體(NAND 和 DRAM)佔30%。

2021年公司銷售以台灣為最多佔39%，南韓佔33%，中國佔15%，美國佔8.5%，其它佔4.5%。ASML主要客戶有TSMC，Samsung，Intel，Micron，SK hynix。其中兩個客戶，TSMC和Samsung佔公司營收67.2%，可以說客戶高度集中。ASML艾司摩爾是世界上唯一的EUV微影設備製造商。公司在DUV競爭對手主要是Nikon和Canon。其他設備同業還有Applied Materials Lam Research，JSR，TEL，KLA Tencor.....等等。