來更新一下DRAM記憶體公司，南亞科(2408.TW)

最近，台灣記憶體廠都在積極投入"客製化"高頻寬記憶體(HBM)，應用於邊緣AI市場。其中，有華邦電的CUBE，是針對AI應用的"客製化"業務。另外，還有愛普的VHM TM，為3D異質整合方案，也是"客製化"高頻寬記憶體。除外，南亞科也和PieceMakers積極合作，投入"客製化"高頻寬記憶體(HBM)。這邊就來更新一下DRAM記憶體公司，南亞科。

更新:

南亞科技(股票代號：2408)董事會通過與補丁科技PieceMakers(以下簡稱 "補丁")進行策略合作開發客製化超高頻寬記憶體，南亞科技並將參與補丁的現金增資計畫。

為因應新興人工智慧(AI)應用及邊緣運算技術快速發展所帶動對高效能記憶體的需求，此次合作將結合南亞科技10奈米級DRAM技術與補丁PieceMakers在客製化DRAM產品的設計能力，共同開發高附加價值、高效能、低功耗的客製化超高頻寬記憶體解決方案，以拓展AI高效能運算裝置的市場商機。

Notes:

補丁科技PieceMakers是一家專業DRAM設計公司， 致力於客製化與標準型DRAM 產品開發，長期投入AI高頻寬記憶體芯片的自主研發、設計及量產銷售，產品應用從消費類電子、車用、工業用，及高速運算之AI及區塊鏈等。

以下為南亞科簡單介紹:

南亞科，主要的產品為動態隨機存取記憶體(DRAM)，用途為存放運算資料，其應用範圍相當廣泛，舉凡智慧手機、伺服器、個人電腦、消費性電子及車用電子等產品皆屬之。南亞科專注於消費性、低功率及伺服器等產品線的創新開發。目前，公司客戶群遍及全球，在台灣、中國大陸、日本、美國及歐洲均設有銷售團隊。

自成立以來，南亞科已順利地將 16Mb、64Mb、128Mb、256Mb、 512Mb、1Gb、2Gb、4Gb DRAM、8Gb DDR4 與 16Gb DDR5 等系列產品推上國際舞台。南亞科將投入更多研發資源，加速開發 10 奈米級製程技術，更多新世代 DDR5 的產品，與積極佈局邊緣AI 裝置，專注於客製化高頻寬記憶體(HBM)。

AI客製化高頻寬記憶體(HBM)

AI 相關 HBM 高頻寬 DRAM 產品，需要四大關鍵元素，包括①高密度先進產品(16Gb DDR5 或以上)，②3D IC 矽穿孔製程(TSV)及多晶片封裝，③高頻寬產品設計(HBM)，及④一顆邏輯基礎 IC (base die)。 

南亞科106 年開始重建自主研發團隊，已推出兩個 10 奈米級世代產品技術，深化自主研發能力，並於 113 年底正式量產第二世代的 16Gb DDR5， 符合 HBM 需求的第一關鍵元素。 

公司目前正在積極重建第二及第三關鍵元素，矽穿孔製程(TSV)及多晶片封裝，與高頻寬產品設計能力。同時，將以策略性投資及合作來建構第四關鍵元素，邏輯基礎 IC 以及 HBM DRAM 的整合，預計 115 年底達驗證目標。

以下為南亞科的技術發展:

(1)使用 10 奈米第三世代(1C)製程技術的先導產品(16Gb DDR5)，將於2025年下半年進入試產。使用 10 奈米第四世代(1D)製程技術的先導產品，將於 115 年第一季導入試產。

(2)與補丁科技PieceMakers策略合作，結合南亞科 10 奈米級 DRAM 技術與補丁產品設計能力，共同開發客製化、高效能、低功耗超高頻寬記憶體及解決方案。預計 115 年產品驗證。

(3)與福懋科技合作，投資 3D 矽穿孔及多晶片堆疊封裝的生產製造。

(4)結合 16Gb DDR5 微縮版與矽穿孔(TSV)製程技術，生產高容量 DRAM 模組供應伺服器市場需求。

以應用來說，南亞科產品目前主要應用於:

(a)消費型電子產品:

包含電視、網路通訊、固態硬碟、數位攝影設備、 機頂盒及車工規等應用，佔比約 63%。

(b)低功率產品應用領域:

如通訊模組、多晶片封裝、手持裝置、數位電視、數位相機、語音助理、智慧手錶等，並增加車載出貨，佔比約21%。

(c)電腦系統應用:

電腦系統廠商，佔比約 13%。

產業概況

2024年，DRAM生產位元年成長為17.3%，ASP提升57.8%，產值則年成長85%，達959億美金。其中，伺服器成長最佳，達16%，佔整體DRAM比重為36.6%，其次智慧型手機，佔整體DRAM比重為36.1%，最後是，個人電腦，佔11.1%。另外，高頻寬記憶體（HBM）營收約佔動態隨機記憶體 （DRAM）營收 13.6%。

在113 年因歐美、中國的總體經濟不佳，消費性產品需求緩增。DRAM 產品市況受到終端需求影響，呈現 AI (artificial intelligence) 及非 AI 產品兩極化的市況： 

(a)AI 相關的高階 DRAM 產品，如高頻寬記憶體(HBM)及高容量 DDR5 模組等，受惠於雲端業者資本支出持續增加，帶動 AI 伺服器的大幅成長，全年銷售量價俱增。 

(b)非 AI DRAM 產品，如DDR3/DDR4/LPDDR4，因個人電腦(PC)、手機及消費型應用產品需求復甦力道不如預期，庫存去化時間拉長，自 113 年中起開始走弱。惟年底受惠中國補貼政策，支持部份如電視等消費型產品需求。近期美國對等關稅引起終端需求的不確定性，後續仍需持續觀察。

以HBM來說，2024年，SK Hynix和Micron的HBM3E產品都已經開始出貨，SK Hynix不僅在2024年率先量產12層HBM3E，並推出16層HBM3E。SK Hynix也預計在2025年完成12層HBM4研發。Micron目前已經開始供貨8層和12層HBM3E，也加速16層HBM3E送樣測試，規劃2025年出貨。至於Samsung，HBM3E也傳出將通過客戶認證。預估2025年全球HBM營收將成長至467億美元。

從DRAM製程來看，主要製程已跨入1γ，1β製程。預計2025年，將近6成DRAM是使用1γ，1β製程。隨著HBM競爭激烈，DRAM公司將繼續佈局1-gamma 製程。

產業上、中、下游之關聯性

IC 產業(含 DRAM)依上、中、下游可依次分為 IC 電路設計、光罩製作/晶圓材料、IC 製造、IC 封裝測試等產業體系如下表所示。南亞科在 IC 產業供應鏈中，主要負責上游 DRAM 設計及中游 DRAM 製造。

南亞科，是一家DRAM記憶體公司，近5年ROE為-3%，-4%，8%，14%，5%。毛利率為-1%，-15%，38%，43%，26%。負債佔資產比例為20%，13%，11%，10%，7%。公司銷售區域以台灣佔20.3%，外銷(主要為中國)佔79.7%。前兩大銷售客戶以聯發科佔營收17.1%，WPI International Co佔營收12%。2024年南亞科研發費用佔營收比例為22.5%。

市場佔有率

目前全球 DRAM 產業由三大廠形成寡佔市場，分別是三星(Samsung)、海力士(SK hynix)、美光(Micron)。目前三大廠產能擴張主要用於 AI 伺服器所需的高頻寬記憶體(HBM)及高容量 DDR5 模組。在中國，則有长鑫存储加入兢爭。

在台灣，南亞科主要競爭對手有華邦電，愛普，晶豪科、鈺創....等等。

南亞科DRAM全球市場佔有率約為 1.1%。

產品發展趨勢

(1)主要應用趨勢

伺服器

(a)113 年人工智慧在為雲端/邊緣運算需求顯著，雖總體經濟未明顯復甦，但雲端服務企業為搶佔人工智慧先機，113 年持續投資 AI 伺服器，加上傳統伺服器更新，113 年伺服器出貨成長約3%。預期 114 年 AI 伺服器需求將持續帶動整體伺服器市場，整體需求可達到 14.3 百萬台，較113 年成長 5%。 

(b)單機 DRAM 搭載量也因 AI 伺服器的高密度計算需求預期將持續成長，平均一台使用量高達813GB，較 113 年有中雙位數百分比的成長。

行動裝置 

(a)智慧型手機在 113 年銷售量受到全球通膨、地緣政治的影響導致換機需求遞延，但 113 年手機開始導入內建 AI 的功能，使得手機的記憶體需求增加，每台手機記憶體平均容量相較於 112年增加約 11%。114 年預期 AI 手機佔比仍將持續成長。 

(b)每台手機 DRAM 搭載量，相較於 113 年預期將有高單位數的成長。 

個人電腦 

受惠於 AI 的導入，113 年個人電腦需求成長約 5%，114 年預估AI電腦的市佔率可達整體個人電腦的3-4成以上，而AI PC 需增加記憶體的使用量(最小 16GB)，使得整體個人電腦的記憶體需求持續增加，113 年有雙位數百分比成長，114 年預期仍維持雙位數百分比成長。 

消費電子產品 

雖升息影響力持續降低，但受地緣政治與區域戰爭的影響，使得 113 年消費性電子需求未如預期回歸。預期 114 年區域戰爭逐漸穩定及補貼政策落地將使得消費信心回穩復甦，預期數位電視、影音串流裝置、網路通訊設備、視訊及監控系統等消費性電子產品的銷售量將小幅成長；另114年發表的遊戲新機有機會使遊戲機的整年出貨量有雙位數百分比成長；VR/AR 裝置、智慧手錶、智慧音箱等裝置因持續有 AI 終端運算概念帶動，預期也將可小幅成長。近期美國對等關稅引起終端需求的不確定性，後續仍需持續觀察。

(2)效能需求

(a)高容量： 

隨著人工智慧在 113 年於伺服器、個人電腦與手機的導入，相關設備對於記憶體的需求持續成長。以 AI 手機來說不但單機容量需求成長到 12GB/16GB，114 年即將有廠商導入 24GB/32GB產品，以滿足智慧手機、伺服器、個人電腦等容量提升的需求。 

(b)高數據傳輸率： 

生成式 AI 數據模型運算與即時回應的需求，提高數據傳輸速度要求，對於 DRAM 規格的要求也相對提高。各基本規格產品之運作速度為 DDR4-3200Mb/s、LPDDR4/X-4267Mb/s；預期在114 年數據傳輸率更可高達 DDR5-6400Mb/s、LPDDR5X 8533Mb/s 及 9600Mb/s。 

(c)低耗電： 

在節約能源、減少碳排放進而降低對地球的傷害的需求下，低電壓與低能耗 DRAM 產品已成為智慧手機、個人電腦、 消費型電子、通訊模組、物聯網及車用電子等產品之主要規格。 

(d)封裝規格：

因應多樣化的應用所需，DRAM 的封裝規格由以往主流的模組產品(Module)，演變成多種不同的封裝方式，如智慧手機用的 PoP/eMCP、數位電視及 5G 通訊用的 SiP 及行動分享器 (Mobile WiFi)用的MCP與智能模組(Smart module)用的eMCP等。

不利因素

(1)DRAM 先進製程困難度高，且投資金額龐大。

(2)中國大陸廠商仍在逐步擴張產能，雖然受限於美國政府對美系設備供應商的禁令，但對整體市場供需的潛在影響仍需持續觀察。