剛才看新聞，祥碩宣佈要砸129億併購Techpoint，進軍"車用半導體"市場。"車用半導體"是台灣半導體不能缺席的一塊大市場。這邊就來簡單理解一下MOSFET功率半導體元件設計公司，博盛。車用和工業應用佔博盛營收約4-5成。
博盛，主要係從事功率半導體(Power Semiconductor)設計開發、應用服務及銷售，為半導體產業上游之功率半導體元件設計公司，公司採用八吋 0.18~0.11um 晶圓製程，主要產品為功率金氧半場效電晶體(Power Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor,以下簡稱 MOSFET)，並開發以碳化矽(Silicon Carbide) 或氮化鎵(Gallium Nitride)為基材之第三類半導體功率元件。
公司不同於國內同業多以個人電腦相關產品或電源供應器產品為主。博盛提早佈局相關工業及車用等級的產品，積極開發具競爭力之中高階產品，避開通用型產品之價格競爭。公司現有海外客戶除中國外，已涵蓋日本、韓國、美國及歐洲等國家。
博盛目前已取得多項產品專利且致力於 MOSFET 應用平台逐一對應開發，產品規格超過一千個品項，電壓涵蓋範圍從最小的 12V 至最大電壓 1,500V。
因應客戶之終端產品廣泛應用於主機板、筆記型電腦、繪圖卡、液晶電視、機上盒、鋰電池模組、監視器、數據機、行動電話、不斷電系統、手工具機、交換式電源供應器、風扇馬達、車用儀表板、抬頭顯示器、車頭燈、車用空調、車用無線充電模組、電動車門及座椅、再生能源、儲能系統。
博盛在 SiC 產品上亦有所著墨，已開發出 650V-1200V SiC SBD 及 650V-1200V MOSFET，並主要以大功率之新能源、工業電機及車用驅動功率模組之產品為主要開發方向。至於 GaN 產品，公司以研發 650V GaN HEMT為主。
博盛將持續致力於提升車用、伺服器及工業類等高階應用產品的市場佔比。
目前，博盛主要生產的功率半導體元件如下：
博盛已開發了全系列SGT MOSFET，技術上已進入第三代SGT，具體的進展如下：
I. SGT製程結構技術：
1.低壓(<40V) SGT：
a. 30V超快速切換(Ultra Fast Switching) MOSFET，應用於電腦主機板、筆記型電腦、高階顯示卡、AI伺服器等中央處理器核心電壓(Vcore)高頻穩壓供電。
b. 40V超低導通電阻(Super Low TDSON) MOSFET，應用於白金/鈦金高效能系列之切換式電源供應器(Switch Mode Power Supply) 二次側同步整流 (Secondary Side Synchronous Rectifier)。
2.中壓(>40V,<300V) SGT：
a. 65V全系列第三代SGT，廣泛應用於所有48V以下輸入電壓的馬達、鋰電池保護、直流/ 直流轉換器 (DC/DC Converter)應用，相較於市面上60V耐壓的MOSFET，具有更大的汲極電壓餘裕度。
b. 100V全系列第三代SGT，廣泛應用於所有72V以下輸入電壓的馬達、鋰電池保護、直流/直流轉換器應用，搭配最新型TOLL、PPAK8X8及雙面散熱(Dual Cool)封裝，可以實現功率極大化但體積極小化的超高功率密度(Super High Power Density)理想。
c. 150V全系列第三代SGT，廣泛應用於所有96V以下輸入電壓的馬達、鋰電池保護、直流/直流轉換器及工業用變頻器應用。
d. 200V/250V全系列第二代SGT，廣泛應用於全橋/半橋應用之低速電動車(Low-Speed Electric Vehicles)、電動馬達 (E-Motor)、電動叉車(E-Forklift)等。
II.平面型(Planar)高壓MOSFET
廣泛的應用在切換式電源供應器的一次側交流/直流轉換，具體的進展如下。
高壓(>300V,<1,500) Planar MOSFET：
a. 提供完整600V/650V/700V/800V/900V/1000V/1500V全系列商品供客戶選用。
b. 快恢復二極體嵌入：全新開發將MOSFET自帶的本質二極體(Intrinsic Diode)進化為具備低反向恢復時間(Low Trr)之快恢復二極體，可以有效提升轉換效率、提高操作頻率。
博盛計畫開發之新產品
(1)絕緣閘雙載子功率場效電晶體IGBT功率元件
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種結合了MOSFET和雙極性電晶體（Bipolar Junction Transistor）特性的元件，其使用量為僅次於MOSFET的功率半導體，廣泛使用於白色家電、工業用變頻器、電焊機、自動化設備及新能源電動車馬達驅動模組。
此前受限於晶背高能離子植入設備而無法進行最先進FST(Field Stop Trench) 製程產品之開發，目前已獲得解決，將開始導入高電壓高電流FST IGBT之研發，研發重點如下：
1. 650V FST IGBT：應用於白色家電功率馬達驅動
2. 1200V FST IGBT：應用於工業用變頻器
3. FRD Embedded FST IGBT：主要應用於650V,1200V 10A以下電流場域，用以提高頻率，提升效率並降低成本。
(2)第三類半導體氮化鎵GaN功率元件
GaN（Gallium Nitride）是一種廣泛應用於電子和光電子領域的寬能隙第三類半導體材料。近年來，由於其獨特的特性，使得氮化鎵在高功率和高頻率元件方面表現出色。此外，與矽或碳化矽相比，氮化鎵GaN具有更高的電子特性、更低的導通損耗及更高的頻率響應，同時因為可使用GaN on Silicon材料架構，因此更容易實現8吋晶圓量產及成本控制。
GaN的高頻優勢明顯，故大量被使用於 65W~150W功率範圍的充電器及變壓器，可以實現極大功率密度設計以減小體積。
(3)第三類半導體碳化矽SiC功率元件
SiC（Silicon Carbide）是有別於GaN的另一種寬能隙第三類半導體材料。是一種由炭元素和矽元素所組合成的一種化合物半導體，具有耐高壓、耐高溫、低阻抗、高電流、高頻率等優異特性，由於其垂直結構的電流路徑與較簡單的驅動方式，使得碳化矽在高溫、高頻率和超高功率應用方面比GaN更具有優勢，因此在新能源、工業電機及車用驅動功率模組上逐步取代IGBT在大功率元件的地位。
(4)電源管理積體電路
基於BCPM(Business Cross Platform Model)商業模式，博盛積極建置與MOSFET等功率元件相互搭配的前級電源管理IC，逐步達成提供客戶一站式解決方案(Total Power Solution)的目標。目前已完成建置的如下：
1.超高精準度單節鋰電池保護IC
2.高效全橋升降壓DC/DC電源控制IC
(5)Dr. Mos
係將驅動IC、High side MOSFET及Low side MOSFET整合至一個 QFN(Quad Flat Non-leaded package)封裝中，大幅縮短了控制信號的傳輸距離，使作動頻率可提升到550KHz至850KHz，同時又能維持優化之熱能管理，擁有高效能源利用率及低耗能之表現。其應用領域包括CPU/GPU、伺服器、資料庫及5G等核心電壓之供電。
下圖是博盛的產品應用與電壓結構圖及關注的應用場景。
功率半導體市場概況
功率半導體屬半導體產業之一部分，係用於電子裝置的電能轉換與電路控制，是電能功率處理的核心元件，也是弱電控制與強電運行間之橋梁。典型的功率處理包括功率轉換(Power Conversion)、功率放大(Power Amplification)、功率開關(Power Switch)、電路保護(Protection)、整流(Rectify)等。除確保設備正常運行外，還能有節能效果。
功率半導體可分為功率積體電路及功率分離式元件等兩大類，各佔功率半導體產業巿值五成。其中功率分離式元件中的功率電晶體係包含 MOSFET、SiC/GaN 功率元件(SiC/GaN Power Device)、絕緣閘雙載子功率場效電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,以下簡稱 IGBT)及雙載子接面電晶體(Bipolar Junction Transistor,以下簡稱 BJT)等。而 MOSFET 具有驅動電路較簡單、損耗低、熱阻特性佳、開關速度快以及頻率較高等優勢，在電子產品中被廣泛應用。
功率半導體的生命週期長，一顆設計得當的功率分離式元件，其生命週期可以超過二十年，對設計公司而言，是一項非常穩定而有利的長期投資，也因此吸引 IC設計公司積極投入功率分離式元件的研發行列。
根據市場研究機構 TrendForce 資料顯示，2022 年全球功率分離式元件以 MOSFET 佔56.3%，為最大宗產品，其次則是 IGBT 佔32.2%，而 BJT 的市佔在高效率應用的強勁需求下逐漸被 MOSFET 所侵蝕，2022 年的全球佔比只剩 11.5%，預期未來仍是緩步下滑的格局，而 MOSFET 加上第三類半導體的 SiC 及 GaN 將會是未來功率分離式元件的主流。
根據市場研究機構富士經濟的數據報告，2023 年功率分離式元件市場規模達到 229 億美元，較 2022 年成長 6%，雖受國際總體經濟情勢不佳下，致使消費性市場處於低迷狀態，惟其他新興的應用卻不斷崛起，如電動車、AI 伺服器及資料中心等，使整體功率分離式元件市場仍維持正增長之趨勢，預估 2027 年功率分離式元件市場規模將達到 306 億美元，2021 年至 2027 年的年複合成長率預測將 為 7%，主因隨著全球暖化的問題受到重視，世界多國都加速推展減碳環保政策，帶動各種與「節能減碳」相關應用的需求快速成長，其最大成長動能為電動車。
據臺灣經濟研究院產經資料庫報告，過去每一台燃油車大約使用 18 個功率分離式元件，電動車則約需使用 250 個功率分離式元件，數量將近成長十三倍。其次是各國加速建置的風力發電與太陽能等再生能源電力系統亦為重要成長動能，未來對於能源的生成以及相關的使用，都期待以更高效率及更低汙染的技術發展來加以實現。
(1)電動車
有鑑於全球各國陸續制定碳中和的期程，節能減碳的目標將無法由燃油車來達成，自然加重電動車的角色，以及各國政府對於電動車的補助與制定燃油車退場的時程，如歐盟、美國部分 州、中國、日本及韓國等國家宣布於 2035 年禁售燃油車，顯然市場與政策雙輪驅動全球電動車的發展。電動車的發展以特斯拉最具為代表性，並帶起自動駕駛風潮席捲全球，促使各大品牌車廠加速投入電動車市場的佈局，推升整體電動車市場規模漸趨放大。
根據市場研究機構 TrendForce 統計，2023 年全球電動車共計銷售 1,303 萬輛，年成長率 29.8%，預估 2024 年電動車的銷量為 1,687 萬輛，年成長率 29.5%，反映電動車滲透率逐年攀 升。
綜觀全球電動車市場，儘管已有部分國家購車補貼逐步退場對電動車銷售造成短期影響，惟以長期政策及市場投入的資源觀之，電動車在未來 10 年的發展仍然可期，中國大陸市場其電動車銷量近年來約佔據全球電動車銷量之半數，已經同時佔據市場中主要供應者及需求者的角色，對電動車產業發展具有一定影響力，在市場競爭日益激烈下，推動車廠加速電動車開發，以及價格和續航力上持續縮短與傳統燃油車差距，預期全球電動車市場將持續成長。
(2)再生能源與儲能系統
近年隨著碳排標準的逐漸提高，使再生能源應用攀升，驅動高效節能功率分離式元件需求。主係當太陽能發電等可再生能源的進一步普及與發電效率的提高，處理高壓、大電流電源的電子設備預計需求也將逐步提升，即需透過功率分離式元件與電容器等儲能元件結合使用進行功率轉換，亦對於輸配電線路的傳輸效率需求提升，也顯示出半導體所製備的功率分離式元件必須從過往以矽(Si)為基礎的結構，逐步朝向更高效率的第三類半導體材料。
根據國際能源署(IEA)在 2023 年研究報告中指出，未來三年電力需求加速成長，預估 98%新增的電力需求將由再生能源提供。當使用再生能源進行發電時，若想要兼顧供電的穩定性，儲能系統是關鍵所在。儲能系統可以調節電網，在用電需求低時將剩餘電力轉換為化學能、動能、位能等型態儲存，再於用電尖峰時釋出，舒緩天候、季節、日照等因素讓發電系統停擺對電網造成的壓力。因此儲能系統的發展以及可供調度的再生能源重要性將持續增加。
根據 IEA 的研究報告數據顯示，2022 年儲能容量新增 17GW，相較前一年約增加 90%。另外，IEA 也預估未來三年內再生能源將超越燃煤，成為全球最大電力來源。亦即當再生能源建置越多，為求供電穩定，對儲能系統的需求就越高。因此，世界各國在邁向淨零碳排的路上，加重投資儲能系統是一個相當重要的趨勢。
(3)伺服器
隨著 AI、物聯網、5G 及雲端運算等新應用的興起，企業開始急需使用更多的數據、更強大的運算資源、更快速的資料傳輸及儲存，推升整體伺服器需求。
伺服器屬於電腦產品，亦屬於生命週期較長之電子產品，主要換機意願來自處理器廠商之平台轉換升級，強化運算效能與傳輸效率，以及因應雲端、生成式 AI 應用快速增長，雲端服務供應 商投入建置資料中心與相關 IT 設備的擴充或升級，推升伺服器之採購需求。
根據市場研究機構 TrendForce 統計數據，觀察全球伺服器整機出貨量的變化趨勢，主係 2023 年全球經濟成長放緩，產業經營環境趨弱，升息導致企業經營成本與融資成本增加，因而下修資本支出，放緩資料中心建置規劃，影響伺服器採購需求，自 2023 年全球伺服器整機出貨量滑落至 13,380 千台，較2022 年衰退 6%，雖全球伺服器出貨量下滑，惟 AI 伺服器需求增加，故整體市場規模仍呈現上升。
預估 2024 年全球伺服器整機出貨量主要動能仍以美系雲端服務供應商為大宗，將持續擴大投資於生成式 AI 應用及大型語言模型發展，加上平台轉換升級可望提振市場對於伺服器換機需求， 預估 2024 年全球伺服器整機出貨量約 13,654 千台，年增率約 2%。
就 AI 伺服器應用而言，根據工研院產業科技國際策略發展所資料顯示，2023 年至 2026 年間 AI 伺服器出貨量持續增長，年增率介於 25%至 38.4%，看好 AI 伺服器市場有助於挹注相關廠商成長動力。
(4)第三類半導體功率元件
另外一塊需要關注的功率半導體市場是第三類半導體，或稱之為寬能矽半導體(Wide Band Gap Semiconductor)。
第三類半導體功率元件係指功率分離式元件之材料使用 SiC 與 GaN 之材料製造，與第一代半導體材料矽(Si)及第二代半導體材料砷化鎵(GaAs)有不同應用領域，故並不是取代第一代及第二代半導體，而是因應新市場需求而發展，因第三類半導體材料具有寬能隙、高熱導率、高擊穿電場及高電子遷移率等特性，可大幅提升效率、減少耗電量及縮小體積等優勢。
一般而言，SiC 適用於高壓高功率產品， GaN 適用於中低功率、高頻率產品，隨著電動車、再生能源、儲能系統、快充、5G 及低軌衛星等市場趨勢下，未來第三類半導體已成不可或缺的重要元件。另就第三類半導體使用之 SiC 及 GaN 功率元 件之產業現況分述如下：
(1)SiC
SiC 為高壓高功率應用的主流元件，導熱性及耐壓性佳，可以減少電能的轉換損耗，主要應用於電動車、太陽能發電、儲能系統及充電樁等，根據市場研究機構 TrendForce 統計(詳圖十)，隨著碳排標準的提高，更多車廠於驅動系統中導入 SiC 技術，致 2022 年 SiC 功率元件市場規模達 16.09 億美元。受惠於電動車、再生能源及儲能系統持續需求下，從 2022 年至 2026 年的複合成長率約為 35%，2026 年 SiC 功率元件市場規模將達 53.28 億美元。
GaN 為高頻應用的主流元件，開關速度快且體積小，可以有效縮小產品尺寸，主要應用於消費性電子產品快充、5G 基地台、低軌衛星及伺服器電源等，根據市場研究機構 TrendForce 統計，隨著手機大廠蘋果及三星採用 GaN 技術的快速充電器， 將加速第三類半導體於消費市場應用的滲透率，致 2022 年 GaN 功率元件市場規模達 1.8 億美元。受惠於 5G 通訊及資料中心高效能運算的推動下，從 2022 年至 2026 年的複合成長率約為 65%， 2026 年 GaN 功率元件市場規模將達 13.32 億美元。
臺灣功率分離式元件產業
臺灣發展功率分離式元件大約 30 年的時間，在這期間經歷過從 6 吋晶圓轉換成 8 吋晶圓的變革，現在又即將進入由 8 吋晶圓進階到 12 吋晶圓的轉變；於此同時，製程的演進也從平面製程、溝槽式製程已再進化到可以跟歐美公司相抗衡的 SGT 製程。目前臺灣市場有多達 10 家以上的功率分離式元件設計公司來搶佔這塊仍在不斷擴大的大餅。
然而目前臺灣仍然固守在電腦相關、通訊相關及消費性電子這三個市場。反之，其他歐美日大廠在棄守這三大市場後，轉進更新的應用及更廣的市場，也就是工業及車用領域。由下表可知，這二個市場主導了現今幾乎 70%的市場佔有率及高額的利潤率。
工業電子泛指提供給其他企業可以用於加工生產最終產品和服務的設備所需的電子零組件。工業產業幾個知名的公司包括歐美系的：Raytheon Technologies 雷神技術科技、Honeywell、Caterpillar、Deere & Company、GE 奇異公司、3M 及日系的 FUNAC、MAKITA 等。大部分的工業類產業屬於成熟產業，營收及毛利率相對穩定，雖對景氣循環較敏感，但相較於消費類產業仍屬於低波動的產業。
汽車電子是目前發展前景和力道最好的產業，尤其是新能源汽車。 112 年全球汽車銷售預估維持穩定成長的 8,014 萬輛，其中新能源汽車預估將達到 1,440 萬輛，隨著新能源汽車的銷售比重逐年升高，汽車電子的使用量也將會大幅提升，因此成為各大半導體廠的必爭之地。
綜上所述，臺灣的功率半導體產業要能夠永續經營發展，第一要務就是要在消費電子領域站穩腳跟後，持續堅定地朝工業及車用領域開疆拓土並積極前進，如此方能洞悉產業方向保持企業競爭力。
博盛，是一家MOSFET功率半導體元件設計公司，2023年ROE為14%，毛利率為28%，資產負債率為41%。公司銷售應用以車用和工業約佔4-5成，其他是消費性產品和通訊用。銷售區域以臺灣佔49%、中國佔19%、日本佔16%、韓國佔11%及其他地區 5%。博盛研發費用佔營收比例為4.09%。
競爭
長期關注歐美日系功率半導體廠動態，會發現其在十年前就已經逐步退出競爭激烈的個人電腦及消費性產品市場，轉進工業、醫療及車用等較高進入門檻的領域。在工業及車用領域，藉由規格的制定、認證的繁複性以及損失的賠償能力，有效的拉高了進入門檻。
目前，全球功率分離式元件的供應商主要為英飛凌(Infineon) 、安森美(ON-Semi)、意法半導體(STM) 、東芝(Toshiba)及瑞薩半導體(Renasas) .......。這些IDM 廠在製造高壓和高電流功率半導體方面具有技術優勢。
至於，中國的功率半導體公司多屬於 IDM 的公司，例如：時代電器、聞泰科技(安世半導體)、華潤微、世蘭微及蘇州固锝等。中國大陸在 SiC 產業鏈上的佈局較為全面，涵蓋了從原材料生產到元件製造的各個環節，如三安光電及華潤微電子，都在積極投資和擴展 SiC 相關業務，主要產品應用則圍繞在新能源汽車(EV)和太陽能逆變器等應用領域。
市場佔有率
根據市場研究調查機構 Mordor Intelligence 統計，112 年全球 MOSFET 市場規模為 65.5 億美元，依博盛 112 年度營收為新臺幣 1,323,321 千元及美元匯率 31.1 換算，博盛在全球 MOSFET 市場佔有率約 0.65%。
AAE
鑒於功率分離式元件應用範疇的廣度與深度日益增加，傳統的 FAE 工程師僅是擔任公司及客戶端的溝通橋樑，主要職責為協助客戶解決產品上的使用問題，惟目前已無法完全勝任客戶日益複雜的高規格服務要求，故博盛成立 AAE (Advance Application Engineer) Team，以具國際客戶服務經驗之專業工程經理人，組成以博、碩士為班底的高質量技術團隊，於初期設計時即可先行討論，以提前瞭解其應用所需並提供解決方案，可為客戶處理更複雜的技術問題與達到高階應用需求。
人才養成時間較長
功率半導體設計者須精通半導體元件物理、製程及電路設計等，其專業技術門檻高，人員技術研發與元件設計能力均需要長期耕耘，使得設計者需靠經驗累積方可逐漸掌握類比訊號之關鍵技術，故功率半導體設計人才養成時間較長，再者，目前半導體產業競爭者眾多，招募與培養優秀的專業人才變得日漸困難，因此發生人才培育不及異動需求之狀況。
車用進入門檻高
博盛擁有之技術亦已跨入熱門的車用產品，因產品符合國際汽車電子協會 AEC-Q101 車用產品標準，故取得日本及韓國車用零件廠商產品驗證。車用產品追求高可靠性及穩定性，因此多半需要 2 至 3 年驗證期間通過才能打入客戶供應鏈，且涉及安全性，產品生命週期長達 10 至 20 年，廠商必須持續長期穩定供貨，客戶產品一旦採用特定功率半導體業者後，難以再改用其他 廠商。
風險
近年來中國半導體產業力求提高自主化，讓功率半導體領域的競爭日趨激烈，產業形成低價競爭壓力。
發展趨勢
A.目前中低壓 MOSFET 仍是市場主流，SGT 製程結構技術滲透率快速上升
依 TrendForce 2022 年的分析，200V 以下的中低壓 MOSFET 合計佔比達 83%，主流地位不變，但其中高階 SGT MOSFET 佔比逐年升高，滲透率已達中低壓 MOSFET 的 15%以上。博盛經過五年的 SGT 研發改進，目前已開發出超低 RSP 的第三代 SGT MOSFET，成本與效能可完全匹配歐美系競爭對手。
B. 高壓 MOSFET 轉向碳化矽與氮化鎵趨勢明顯
第三類半導體包括碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產值又以 SiC 佔 80%為重。SiC 適合高電壓、大電流、高頻率的應用場景，能進一步提升電動車與再生能源設備系統效率。據 TrendForce 研究統計，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業者合作案明朗化，將推動 2023 年整體 SiC 功率元件市場產值將達 22.8 億美元，年成長 41.4%。
根據 TrendForce 表示，SiC 功率元件的前兩大應用為電動車與再生能源領域，分別在 2022 年已達到 10.9 億美元及 2.1 億美元，佔整體 SiC 功率元件市場產值約 67.4%和 13.1%。TrendForce 預期 2026 年 SiC 功率元件市場產值可望達 53.3 億美元。主流應用仍倚重電動車及再生能源，電動車產值可達 39.8 億美元、年複合成長率約 38%；再生能源達 4.1 億美元、年複合成長率約 19%。
C. 小型化、高整合化模組 ASEMM 引領技術層次提升
現今的電源設計講求高頻率、高效率及高整合，博盛特別依據這三高特性，領先業界開發出 ASEMM (Application-Specific Enhanced Mode Module)模組，此特屬應用強化模式模組採用最新製程的晶圓，輔以先進的無打線封裝製程，整個模組實現了無打線封裝的理想境界，並以最先進的銅柱製程取代傳統的金、銅或鋁線封裝，可以完全避免打線所造成的阻抗線損及高頻感抗線損，實際應用上帶給使用者極大的設計便利，具體的實踐如下：
(1)高整合化之小型 MOSFET 6 in 1 模組應用於智慧馬達驅動，總體元件佈局面積減少 35%。
(2)高頻化可實現於高效率拓樸 Totem pole PFC 之基於第三類半導體 材料可應用於大功率基於 SiC 的整合模組及 SMD 封裝薄型化 GaN HEMT(High electron mobility transistor)，功率損耗減少 30%。
(3)高效率化之導入先進 TOLL(TO-Leadless)封裝之 MOSFET 可運用於電動車次系統等級之智慧電池管理的應用，汲、源極間導通阻抗下降超過 15%。
D.車規產品漸成主流
全球電動車滲透率在 2030 年將會達到 42.1%，三年之年複合成長率為 12%，八年的年複合長率則為 11%，均顯示電動車市場高複合成長之態勢。
這其中功率半導體就扮演極重要的角色，穩定佔比 34%的半導體類就包含所有矽基中低壓 N-Type 及 P-Type 開關型 MOSFET。而在佔比 17~23%的動力電子部分，則主要是應用在車用電池系統及三電系統中的第三類半導體 SiC 及逐漸被取代的 IGBT。
今年以來 AI 伺服器帶動原先在 PC、NB 及 SERVER 的應用功能提升，MOSFET 在這方面的銷售，其品質與規格將受到更嚴格的要求。博盛過去早已佈局此類產品，目前博盛之產品已通過伺服器領導廠商之驗證。
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