DRAM公司，南亞科(2408.TW)

最近，南亞科投資3千億元興建10奈米12吋先進晶圓新廠，新廠已經開土動工，其中，未來也會導入EUV設備。目前南亞科已經往10奈米自主技術前進。來簡單理解一下DRAM公司，南亞科。

南亞科主要的產品為動態隨機存取記憶體(DRAM)，主要用途為存放運算資料，其應用範圍相當廣泛，舉凡智慧手機、伺服器、個人電腦、消費性電子及車用電子等產品皆屬之。

為滿足市場應用需求趨勢，持續開發高速度與低耗電之產品。南亞科業務策略鎖定消費型電子、行動裝置及伺服器為主要應用市場，提供完整的產品組合，以滿足低、中、高 容量的市場需求，產品線包括512Mb/1Gb DDR2、1Gb/2Gb/4Gb DDR3、4Gb/8Gb DDR4、512Mb/1Gb LPDDR、1Gb/2Gb/4Gb LPDDR2、 4Gb/8Gb LPDDR3及2Gb/4Gb/8Gb LPDDR4/4X等規格。

產業之現況與發展

DRAM是電子產品智慧化的關鍵元件；智慧型手機、伺服器/數據中心是目前最大應用區塊。在DRAM的終端應用上，已從過去主要集中在PC相關的應用，擴充為目前非常多元化的應用，其中智慧型手機為最大應用市場區塊， 而伺服器/數據中心因為雲端應用的高成長，成為成長最快速的區塊。預期5G啟動商轉及人工智慧應用展開後，自駕車、邊緣運算及 新興多元應用將持續注入更多的活力，將帶動DRAM應用多元化， 需求每年有15~20%的位元成長。

全球DRAM產業由大廠商形成寡占市場，產業供給趨向理性投資與獲利優先，產能擴張理性且謹慎，且先進製程轉換難度高，每年位元成長趨緩。南亞科持續專注於消費型電子和車工規等應用市場，並增加伺服器及低功率等市場區塊的占比。

(1)主要應用趨勢

A. 伺服器 

(a)數位轉型持續帶動雲端運算的中長線需求，預期大型資料中心對伺服器的出貨需求今年仍將穩定成長；另外，邊緣運算成為伺服器市場的新需求，預期隨著5G基礎設施的佈建而逐步成長。

(b)DRAM需求量成長來自雲端資料中心持續投資、新款處理器推出，且搭載量也會隨著下半年DDR5新CPU平台的導入而提高，以符合5G及AI高頻寬、低延遲、大量資料的需求。

B. 行動裝置

(a)智慧型手機全球銷售量因新冠疫情影響去年大幅下滑，今年5G手機出貨比重提升，DRAM搭載也將同步增加，惟受到全球通膨、地緣政治、缺料影響較重，需求成長趨緩。

(b)每台手機DRAM搭載量，主要仍以6~8GB為市場主流，蘋果手機也增加至6GB。

C. 個人電腦 

遠距商機挹注去年的筆記型電腦銷售量成長，預期今年商用及電競機種需求仍強勁，惟受到全球通膨、地緣政治、缺料影響較重，需求成長趨緩。 

D. 消費電子產品 

新款遊戲機、影音串流裝置、智慧手錶、網路通訊、視訊及監控系統、固態硬碟、車用及工控用等消費性電子，預期今年銷售量仍將穩定成長；VR頭盔、智慧眼鏡將受惠元宇宙概念及新款遊戲機推出而成長。

(2) 效能需求

A.高容量：隨著10奈米級製程世代來臨，12Gb/16Gb將逐漸成為主流產品容量，主要應用來自於智慧手機、伺服器、個人電腦等， 預期前三大DRAM廠將持續提升1Z/1a 奈米製程之良率與比例，增加產出。 

B.高數據傳輸率：因應影像格式在網路傳輸資料的占比逐年升高，為提高傳輸速度，DRAM規格相對提高。目前DDR4產品之運作速度可達DDR4-3200Mb/s，LPDDR4/X及LPDDR5產品之運作速度更可高達4267Mb/s及6400Mb/s。

C.低耗電：

在全球溫室效應環境保護需求趨勢下，低電壓與低耗能DRAM產品已成為智慧手機、伺服器、個人電腦、消費型電子及車用電子等產品之主要規格要求。

D.功能需求：

 (a)高數據率及寬頻帶：DDR4提供的高數據率已成為伺服器及個人電腦的主流規格，DDR5的導入將進一步提高數據率；另外具高頻寬及低功率特性的LPDDR4X及LPDDR5則獲智慧型手機普遍採用。

 (b)多樣封裝規格： 因應多樣化的應用所需，DRAM的封裝規格由以往主流的模組產品(Module)，演變成多種不同的封裝方式，如智慧手機用的PoP/eMCP、數位電視用的SiP及行動分享器(Mobile WiFi)用的MCP等。

南亞科，是一家DRAM公司，近5年ROE為14%，5%，6%，27%，37%。毛利率為43%，26%，32%，55%，55%。資產負債率為10%，7%，8%，10%，12%。產品銷售以消費型應用佔比約 70%，伺服器佔比約5%。低功率產品佔10%，其它佔15%。銷售對象以WPI(大聯大)佔13.4%，聯發科佔11.8%。目前全球DRAM產業由大廠商形成寡占市場，三星市佔率(Samsung)佔43%、海力士(SK hynix)佔28% 、美光(Micron)佔23%和南亞科技市場占有率約為3%， 全球排名第四。

自主技術開發與製程轉換 

第一代10奈米級製程技術(1A)第一顆產品8Gb DDR4試產順利達到良率目標，第二顆產品DDR5的設計已完成並投入試產。預計111年進行(1A)製程轉換，導入量產。 

第二代10奈米級製程技術(1B)已完成功能性驗證晶片的試製，第一顆量產產品8Gb DDR4開始投片試產。