來更新一下碳化矽SiC晶圓基板、碳化矽晶體公司，盛新材料。盛新材料即將登錄興櫃。
盛新材料，主要從事碳化矽晶體(SiC ingot)及碳化矽晶圓基板(SiC substrate)之研發、生產及相關加工服務，並同時具備導電型及半絕緣型碳化矽材料之量產能力。
公司已研發完成自主大尺寸、高品質長晶關鍵性技術，如掌握晶態穩定、缺陷修補及自製晶種、電性調控、晶體缺陷檢測分析等技術，快速回饋製程提升晶錠品質；及開發自有核心專利等，目前製程技術已發展至4、6吋半絕緣碳化矽晶圓及6、8吋導電型碳化矽晶圓，技術層次已躋身國際水準，且獲得國內外通訊磊晶及元件大廠之認證及採用。
盛新材料自製長晶爐發展 8 吋碳化矽長晶製程，除迎頭趕上國際前端技術外，更達到核心長晶機臺自主化、國產化，降低大尺寸碳化矽的研發成本、時間。中壢廠區已完成安裝 65 台長晶設備，其中自製長晶機佔 50 台，未來自製機臺將成為量產主力機臺。
碳化矽(SiC)
隨著全球資訊科技產業快速發展，半導體已成為現代電子產品不可或缺之關鍵元件。除了傳統以矽(Si)為主的半導體材料外，近年來隨著高功率、高頻率及高溫環境應用需求增加，具有寬能隙(Wide Band Gap, WBG）特性的第三類半導體材料逐漸受到重視，其中以「碳化矽(SiC)」及「氮化鎵(GaN)」為主流材料。
相較於傳統矽(Si)材料，碳化矽及氮化鎵具有較高的崩潰電場、更佳的耐高溫能力以及更高的能源轉換效率，可大幅提升電力電子元件之效率並降低能源損耗。隨著全球 5G 通訊、電動車、再生能源、資料中心及工業電力系統等應用需求快速成長，第三類半導體材料之市場需求亦持續擴大。
碳化矽(SiC)材料主要分為兩大類型：
(a)導電型(Conductive type/N-type)
低電阻率、高耐壓、低功率損耗，適合電能轉換與高功率傳輸。
主要應用於電動車功率元件、工業電源轉換、能源管理系統、充電設備及再生能源等領域。
(b)半絕緣型(Semi-Insulating type/SI-type)
高電阻率、低介電損耗、高頻及高功率傳輸特性。
主要應用於5G通訊、射頻(RF)元件、雷達、衛星通訊及軍用電子等高頻應用領域，及未來先進AI高速運算應用機會。
尤其半絕緣型碳化矽材料亦被評估未來 AI 伺服器、AI 晶片封裝等應用領域之一，未來展望可期。
產業概況
碳化矽材料需求主要來自車用功率元件(如逆變器、車載充電、DC/DC、快充)、再生能源與工業電源等高效率電力轉換應用。
根據 Yole Group 分析，功率 SiC 元件市場的成長動能仍高度集中於汽車應用，尤其是純電動車(BEV)所使用的主驅逆變器近年推升 SiC 市場的重要技術趨勢之一。即便 113~114 年全球電動車市場成長動能暫時放緩，Yole 仍預期功率 SiC 市場在未來五年內將達到 100 億美元規模，顯示長期結構性需求依舊強勁。隨著電動車市場持續擴大以及各國淨零碳排政策推動，碳化矽功率元件將逐漸取代部分傳統矽功率元件，使碳化矽材料市場需求持續成長。
此外，除車用外，AI 資料中心電源對高效率電力轉換需求快速上升，推動高效率電源架構對 SiC 導入的評估與採用。
在AI數據中心，碳化矽主要應用於AI數據中心電源的機架電源AC/DC級。碳化矽MOSFET可用於構建電源供應單元(PSU)的功率因數校正(PFC)電路，以替代矽基MOSFET。相較矽基MOSFET，碳化矽MOSFET擁有更高的開關頻率和更低的Reverse Recovery Loss，可以有效減少元件數量，增加電源功率密度，並提升AC/DC級的能量轉換效率。使用碳化矽MOSFET的PSU的功率密度可以達到矽基功率元件PSU的2倍以上，並且可以將電力轉換效率最高提升約1%。
在車用端，800V 高壓平台逐步普及，亦加速 SiC 功率元件滲透率提升，進一步支撐 SiC 材料之中長期需求。
在通訊與射頻等領域，寬能隙化合物半導體(如 GaN 及 SI-SiC 相關應用)亦持續擴張。以 SNS Insider 的市場研究為例，其指出 GaN 半導體元件市場規模 111 年約 22.5 億美元，並預估至 119 年達約 135.8 億美元，顯示高頻、高效率應用仍具成長動能。
產業上、中、下游之關聯性
盛新材料主要從事碳化矽晶體(SiC ingot)及碳化矽晶圓基板(SiC substrate)之研發、生產及相關加工服務，屬於半導體產業鏈上游材料供應商。
碳化矽晶圓基板經由下游廠商進行磊晶成長(Epitaxy)及半導體製程後，可製造各類碳化矽功率元件或射頻元件，例如碳化矽功率MOSFET，碳化矽肖特基二極體(SBD)，射頻功率元件(RF device)。
其應用領域涵蓋電動車電力系統、充電設備、再生能源系統、工業電源設備、5G 通訊設備及航太雷達等多元產業。
生產碳化矽SiC晶圓基板所需的各種材料，包括碳粉、矽粉、石墨保溫材料以及晶體成長、晶圓切割、研磨、拋光設備。
盛新材料，是一家碳化矽SiC晶圓基板、碳化矽晶體公司。2025年營收為0.3億，虧損2.9億。目前，公司仍在客戶送樣認證及研發階段，導致生產未達經濟規模而產生營運虧損。以營收來看，2025年營收以碳化矽產品(包含導電型 SiC 材料，半絕緣型SiC材料)佔64%，碳化矽材料檢測與認證佔36%。銷售區域以台灣佔43%，亞洲佔57%。盛新材料研發費用為1.1億，佔公司營收比例為324%。
競爭
碳化矽材料為第三類半導體之關鍵材料，主要涉及晶體成長、晶圓切割、研磨、拋光及清洗等製程技術。
目前全球碳化矽材料市場主要由美國、日本及歐洲廠商主導，近年中國廠商亦積極投入擴產。主要國際碳化矽材料供應商包括：Wolfspeed、Coherent、Rohm/SiCrystal、SK Siltron、 Showa Denko、SICC/TankeBlue。
上述廠商多具備長晶、切片、研磨、拋光及晶圓製造等完整製程能力，部分廠商更進一步整合至磊晶(Epitaxy)、元件製造及模組封裝等垂直整合(IDM)營運模式。
台灣除了盛新材料外，也有環球晶研發碳化矽SiC晶圓基板。
自製長晶爐
碳化矽晶體成長需於高溫環境下進行，長晶設備之設計及製程控制對晶體品質具有重要影響。
盛新材料具備碳化矽長晶設備之設計及開發能力，掌握設備關鍵設計與製程整合技術，可依據碳化矽長晶製程需求進行設備設計、客製化調整及持續優化，將設備設計與製程條件相互整合，不僅有助於降低設備採購及建置成本，亦可提升關鍵設備與製程技術之自主性，並強化公司對設備規格、製程參數及擴產規劃之掌握能力。
產製過程
盛新 SiC 長晶技術採物理氣相傳輸法(PVT)，為碳化矽晶體成長主流技術。盛新以高純碳化矽為原料，在特殊溫場下，採用物理氣相傳輸法(PVT)，透過加熱置於底部的碳化矽原料至高溫(~2,500 度)使其分解、昇華至坩堝頂部晶種處凝華，形成碳化矽單晶。生長不同尺寸的碳化矽晶錠，經過多道加工工序產出碳化矽基板。
供應來源多元化之需求
近年來隨著地緣政治風險及全球供應鏈重組，各國政府均積極推動半導體供應鏈在地化與多元化策略。碳化矽材料主要供應商集中於美國、歐洲及中國等地區，而這些區域亦為全球貿易政策與科技管制較為敏感的區域。
隨國際半導體產業對供應鏈韌性及供應來源多元化之重視程度提高，市場對非中國供應來源之需求亦逐步受到重視。
不利因素
近年來碳化矽材料市場快速成長，吸引全球廠商積極投入擴產，包括美國、日本、歐洲及中國廠商均持續增加產能，使市場競爭逐漸加劇。尤其中國政府積極扶植第三類半導體產業，使部分廠商以較低價格進入市場，對碳化矽材料價格及利潤空間造成壓力。
發展趨勢
(1)晶圓尺寸
在晶圓尺寸發展方面，目前碳化矽基板主流尺寸仍以 6 吋晶圓為主，惟隨著市場需求快速擴大及製造成本考量，全球主要功率半導體廠商及 IDM 大廠已逐步推動 8 吋(200mm)碳化矽晶圓之量產計畫。透過晶圓尺寸大型化，可提升單片晶圓之可用晶粒數量並降低單位製造成本，進而提高產業整體生產效率。
(2)人工智慧(AI)資料中心電源系統
此外，近年來人工智慧(AI)資料中心電源系統對於高效率電力轉換的需求快速增加，部分高效率電源架構已開始導入碳化矽功率元件，以提升電源效率並降低能源損耗。同時，在電動車產業方面，隨著各大車廠逐步導入 800V 高壓電動車平台，碳化矽功率元件因其高效率及高耐壓特性，逐漸成為車用逆變器及電力系統的重要元件，進一步帶動碳化矽材料需求成長。
(3)先進封裝散熱基板
另一方面，隨著高效能運算(HPC)與人工智慧(AI)晶片需求快速增加，半導體產業亦積極發展先進封裝(Advanced Packaging)技術，例如 2.5D 與 3D 封裝、Chiplet 架構及高密度 RDL(Redistribution Layer)等技術。先進封裝系統對於高導熱性、低熱膨脹係數及高機械強度之基板材料需求日益增加。碳化矽材料具有優異的熱導率及機械強度，未來在先進封裝散熱基板、封裝基板材料或高功率模組封裝等領域，亦具潛在應用發展機會。
未來研發計畫：
A. 8吋高品質(P+)N型SiC晶圓－低缺陷技術。
B. 6-8吋高品質(P+)SI型SiC晶圓-高電阻率穩定技術。
C. 8吋自製晶種長晶及加工技術開發。
D. 12吋碳化矽長晶及加工技術開發。
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