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2024年1月26日

來更新一下DRAM記憶體公司,南亞科(2408.TW)

來更新一下DRAM記憶體公司,南亞科。今年,南亞科預計要用10奈米1B製程技術生產16Gb DDR5產品。


以下為南亞科最新狀態

(1)南亞科技10奈米 1B 製程技術 8Gb DDR4 與 16Gb DDR5 產品預計 2024年導入生產。主要應用在伺服器端和PC端。


DRAM微縮製程發展

目前,DRAM微縮製程進展緩慢,如最下圖表。相對Logic製程已經到3奈米,DRAM微縮製程還在10奈米。目前,最先進的DRAM製程為Micron的1b (1β),為10奈米第5代。DRAM 10奈米微縮製程從第一代1x 奈米進化到 1y、1z 、 1a(1α),1b (1β),未來要往1c(1γ)邁進。 


至於,南亞科預計 2024年導入生產10奈米 1B 的製程技術,這製程相當於1y。南亞科大約落後Micron有3代差(1z 、 1a(1α),1b (1β))。


以下為南亞科簡單介紹

南亞科,主要的產品為動態隨機存取記憶體(DRAM),用途為存放運算資料,其應用範圍相當廣泛,舉凡智慧手機、伺服器、個人電腦、消費性電子及車用電子等產品皆屬之。南亞科專注於消費性、低功率及伺服器等利基型產品線的開發與經營,持續深耕車用、網通、客製化等需長期且穩定供貨之利基型市場。


南亞科已成功開發10奈米級DRAM製程技術,將可微縮至少3個世代,並用以發展DDR5及LPDDR5等產品,南亞科技10奈米 1B 製程技術 8Gb DDR4 與 16Gb DDR5 產品預計 2024年導入生產。主要應用在伺服器和PC。


南亞科於2022年舉行新廠動土典禮,規劃在未來的7年內投資約新台幣3,600億元,升級現有廠房及興建一座雙層式無塵室新廠,並在這座新建的晶圓廠導入數個世代的10奈米級技術與產品。新廠規劃分三階段進行擴建,完成後月產能可達到4.5萬片晶圓,預計2025年開始裝機投片量產,南亞科晶粒位元產出成長將達120%,每年預估可創造超過700億元產值。


目前南亞科主要之商品項目為: 

1. DRAM 晶片 

(1) DDR2 DRAM —容量:512Mb、1Gb —速度:800Mb/s、1066Mb/s (2) DDR3 DRAM —容量:1Gb、2Gb、4Gb —速度:1600Mb/s、1866Mb/s、2133Mb/s (3) DDR4 DRAM —容量:4Gb、8Gb —速度:2667Mb/s、2933Mb/s、3200Mb/s (4) DDR5 DRAM (研發中) —容量:8Gb、16Gb —速度:4800Mb/s、5600Mb/s (5) LPDDR2 —容量:1Gb、2Gb、4Gb —速度:1066Mb/s (6) LPDDR3 —容量:4Gb、8Gb —速度:1866Mb/s、2133Mb/s (7) LPDDR4/4X —容量:2Gb、4Gb、8Gb —速度:3200Mb/s、3733Mb/s、4267Mb/s。


2. 晶圓製造服務

南亞科為滿足市場應用需求趨勢,持續開發高速度與低耗電之產品。南亞科業務策略鎖定消費型電子、行動裝置及伺服器為主要應用市場,提供完整的產品組合,以滿足低、中、高容量的市場需求,產品線包括 512Mb/1Gb DDR2、1Gb/2Gb/4Gb DDR3、4Gb/8Gb DDR4、1Gb/2Gb/4Gb LPDDR2、4Gb/8Gb LPDDR3 及 2Gb/4Gb/8Gb LPDDR4/4X 等規格。


產業概況

DRAM,是一種半導體記憶體,通常被用作主儲存器,用於儲存運行中的程式和數據。在DRAM中,每個記憶單元由一個電容和一個電晶體開關電路組成,主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元(bit)是1還是0。由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後很快消失,因此它屬於一種揮發性記憶體(volatile memory)裝置。DRAM通常被組織成一系列的記憶體晶片,這些晶片可以通過總線或其他互連技術進行連接。每個記憶體晶片可以包含數百萬到幾十億個記憶單元。


DRAM 在電子產品的應用廣泛。伺服器、數據中心、個人電腦、智慧型手機及消費型電子產品是目前最大應用區塊。DRAM 是電子產品智慧化的關鍵元件,未來各種消費型智慧電子產品的推出,加上 5G、AI、智慧城市、智慧工廠、智慧汽車、智慧家庭、智慧穿戴、及 AR/VR/MR 等,將帶動 DRAM 應用更加多元化,預期今年市場需求將逐季改善,且長期每年應可維持 10~20%的位元需求成長。


DRAM按產品來區分,分為DDR,低功耗的LDDR,高頻寬的GDDR,HBM。其中,DDR廣泛應用在伺服器,PC領域。至於,低功耗的LDDR則應用在手機,平板電腦上。其他,高頻寬的GDDR,HBM則是應用在顯示卡和AI人工智慧上。


根據WSTS數據預估,2023年記憶體產業規模為896億美元,記憶體佔整個半導體規模為17%。預計2024年將重回1698億美元,其中,DRAM和NAND約佔95%,其他佔5%(NOR約佔3%)。


記憶體屬於標準化產品,有固定規格,所以,產業周期性非常大。常常出現景氣好,廠商過度擴張,導致記憶體報價大跌,公司虧損。景氣差時,廠商開始減產,導致記憶體報價回升,公司開始獲利,廠商又開始擴張...........周而復始。


DRAM產業上、中、下游之關聯性

IC 產業(含 DRAM)依上、中、下游可依次分為 IC 電路設計、光罩製作/晶圓材料、IC 製造、IC 封裝測試等產業體系。南亞科在 IC 產業供應鏈中,主要負責上游 DRAM 設計及中游 DRAM 製造。


南亞科,是一家DRAM記憶體公司,近5年ROE為8%,14%,5%,6%,27%。毛利率為38%,43%,26%,32%,55%。資產負債率為11%,10,7%,8%,10%。2022年公司帳上現金有736億。公司最大客戶為大聯大和聯發科,其中大聯大佔營收13.2%,聯發科佔營收11.1%。南亞科銷售之主要市場以中國佔44.5%,台灣佔36.1%為主。目前,南亞科產品仍以DDR 3、DDR 4成熟型產品為主,其中DDR4占比則逾六成,南亞科產品正往DDR5移動。整體來看,南亞科60-70%的產品應用在消費性產品。


發展趨勢

(1) 主要應用趨勢 

A. 伺服器 

(a) 人工智慧、機器學習、5G 持續帶動雲端/邊緣運算的需求, 預計伺服器的出貨長期來看為穩定成長。惟短期總體經濟尚未明確復甦,大型企業及雲端業者持續縮減營運成本的保守策略衝擊下,2023年伺服器出貨僅可持平或小幅成長。 

(b) DRAM 需求量成長來自雲端資料中心持續投資、新款處理器推出,且搭載量也會隨著上半年 DDR5 新 CPU 平台的導入而提高,以符合 5G 及 AI 高頻寬、低延遲、大量資料的需求。 


B. 行動裝置 

(a) 智慧型手機全球銷售量因新冠疫情影響 110 年大幅下滑,111 年 5G 手機出貨比重提升,DRAM 搭載也將同步增加,惟受到全球通膨、地緣政治、缺料影響較重,需求成長趨緩。 

(b) 每台手機 DRAM 搭載量,主要仍以 6~8GB 為市場主流,蘋果手機也增加至 6GB。 


C. 個人電腦 

因疫情紅利結束且受到全球通膨、總體經濟疲弱影響,個人電腦需求預計為衰退。 


D. 消費電子產品 

受全球通膨影響,個人可支配所得減少,且因疫情結束, 部分花費將轉向旅遊、餐飲等項目。遊戲機、影音串流裝置、 網路通訊、視訊及監控系統、智慧音響等消費性電子,預期DRAM銷售量將持平或小幅衰退;車用、智慧手錶、VR 頭盔、智慧眼鏡因持續有 5G、元宇宙概念帶動,預期將穩定成長。 


(2) 效能需求 

A. 高容量: 隨著 10 奈米級製程世代來臨,12Gb/16Gb 將逐漸成為主流產品容量,主要應用來自於智慧手機、伺服器、個人電腦等, 預期前三大 DRAM 廠將持續 1a/1b 奈米製程之轉換,滿足市場需求。 


B. 高數據傳輸率: 因應影像格式在網路傳輸資料的占比逐年升高,為提高傳輸速度,DRAM 規格相對提高。目前各規格產品之運作速度為 DDR4-3200Mb/s,LPDDR4/X-4267Mb/s,DDR5-5600Mb/s 及 LPDDR5 更可高達 6400Mb/s。


C. 低耗電: 在全球溫室效應環境保護需求趨勢下,低電壓與低耗能 DRAM 產品已成為智慧手機、伺服器、個人電腦、消費型電子及車用電子等產品之主要規格要求。 


D. 功能需求: 

(a) 高數據率及寬頻: DDR4 提供的高數據率已成為伺服器及個人電腦的主流規格,今年 DDR5 的導入將進一步提高數據率;另外具寬頻及低功率特性的 LPDDR4X 及 LPDDR5 則獲智慧型手機普遍採用。 


(b) 多樣封裝規格: 因應多樣化的應用所需,DRAM 的封裝規格由以往主流的模組產品(Module),演變成多種不同的封裝方式,如智慧手機用的 PoP/eMCP、數位電視用的 SiP 及行動分享器(Mobile WiFi)用的 MCP 與智慧模組用的 eMCP(Smart module)等。


市場佔有率 

DRAM市場已由有能力掌握先進製程的廠商主導所形成的寡占市場。目前全球主要的DRAM供應商有三星 (Samsung)、海力士 (SK hynix)、美光(Micron)和南亞科。南亞科2022年市場佔有率約為 2.4%,全球排名第四。

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