半導體薄膜濺鍍靶材公司，創鉅(7918.TW)

來簡單理解一下半導體薄膜濺鍍靶材公司，創鉅。創鉅是由光洋科薄膜暨電子材料事業群的半導體業務中分割出來的，其持股為69.84%。目前，公司已經申請登錄興櫃，創鉅在銅錳(CuMn)靶材有很好的競爭力。

創鉅，主要業務為半導體薄膜濺鍍靶材、貴金屬材料及化學品之製造、 加工、回收、淬鍊及買賣，目標市場包含半導體先進製程、先進封裝、高階電子零組件等產業。

公司專精於高純、高質功能材料之先端合金製作技術，產品跨足半導體產業之前段晶圓製程、後段封裝製程及特殊模組之應用，主要生產半導體薄膜製程相關之濺鍍靶材、電鍍陽極材、蒸鍍材以及製程設備會用到的零組件，其為半導體廠在生產製造過程中必需使用的關鍵耗材。

以下為創鉅的產品和服務

創鉅主要提供半導體製程(包含前段晶圓製程、後段封裝製程)中所需的各式功能性材料，包含濺鍍靶材、蒸鍍材、電化學沉積陽極材、電鍍化學品以及設備零件耗材。

除外，創鉅也提供電子零組件製程中所需的各式功能性材料，包含濺鍍靶材、蒸鍍材、電鍍化學品。提供下列產業領域的服務:薄膜電阻，薄膜電感，石英振盪器，陶瓷基板其他電子零組件。

另外，創鉅也提供回收相關廢料中有價金屬的服務；目的是透過材料的供應與回收形成循環，與客戶一同達成ESG減碳與永續的目標。

(1)薄膜材料

(a)濺鍍靶材

創鉅使用超過50種化學元素，具備3000種以上合金以及30種以上金屬氧化物濺鍍靶材製作經驗。可提供半導體產業、電子零組件產業等領域之濺鍍靶材。

在半導體產業應用，創鉅製作的半導體等級濺鍍靶材，供應半導體晶圓製程、凸塊製程以及封裝製程使用，通過國際大廠驗證，具有高純度、高精細微觀結構的特性。

(b)蒸鍍材料

公司的蒸鍍材料可加工成顆粒狀、塊狀、棒狀、線狀、錠狀、粉末等形式符合客戶製程或設備上的需求。主要應用於化合物半導體、發光二極體、顯示器、石英震盪器、太陽能等各種產業領域的金屬薄膜，可提供多種形狀、尺寸的蒸鍍材料。

(c)電化學沉積材料

公司的陽極材料可依客戶需求進行製作，包含參雜微量元素、極低的放射性顆粒等。電化學沉積(Electrochemical deposition)為快速且符合成本效益的薄膜沉積方法，應用於半導體元件及先進封裝製程，創鉅可提供各種形狀、尺寸的陽極材料。

(2)精密加工零組件

創鉅擁有多年精密加工經驗，結合精密加工、精細冶金、模組化與組裝、工程應用以及半導體級檢測等能力，製造半導體設備使用的零組件。

在半導體領域，公司可提供電化學沉積 (ECD)、蝕刻 (Etching)、離子佈植 (Ion implanting) 以及物理氣相沉積 (PVD) 四大製程專用設備耗材，適用於業界各主流機台。 提供材料範圍包括矽、石英、陶瓷以及各種金屬材料(包括Pt、Au、Ag、 Pt、Pd、Ta、Ti、Al、Cu 、Ni、SUS)與PEEK。

(3)貴金屬化學品與材料

(a)貴金屬化學品

創鉅的貴金屬化學品結合廢液回收與精煉的服務形成材料循環模式。

公司的氰化金鉀產品取得 UL 2809 驗證，可以確保客戶購買產品中的黃金100%皆來自再生原料，可應用於印刷電路板、IC封裝等產業，廣泛使用於滾鍍、吊鍍、電鑄等電鍍相關製程。 銀化學品包含有氰化銀鉀、氰化銀、硝酸銀、電鍍用銀板，適用於電鍍相關產業。 

二氯四氨鈀產品主要用於新型環保綠色電鍍，用於電子行業鍍鈀，主要塗鍍電腦主機板及網路用插頭，製造汽車催化劑等相關製程。

(b)貴金屬材料

創鉅可提供管、線、板等型態之貴金屬材料，可應用於電子零件、半導體零件，或作為裝飾品等之加工素材。產品包含純金，純銀，925銀。

(4)電子廢料處理及金屬回收

創鉅以本身的火法冶金(pyro-metallurgy)技術，串聯集團公司與協力廠商的濕法冶金(hydro-metallurgy)技術及相關服務，能回收處理多元廢料源，提供精煉技術。提供六大貴稀元素回收精煉與循環服務。

創鉅搭配集團公司與協力廠商，提供製程下腳料、客戶工廠廢料以及生命週期終了的電子產品的回收及相關服務，透過環保的精煉提純技術，使有價值的金屬元素再生，達到材料永續的目標。

公司提供銅、金、銀、鉑、鈀、釕等多種元素且多元廢料源之回收及精煉服務，並包含相關之貴金屬交易、轉帳、租賃與設備零件清洗等配套服務，形成完整一條龍的貴金屬價值鏈服務。

(5)綠色認證產品

光洋集團是貴金屬和稀有金屬產業中第一個實現 UL 再生材料含量驗證的製造商，鏈結集團的資源，創鉅盡可能採用友善環境的綠色原料來製作再生的綠色產品。

公司運用核心的回收和精煉技術，回收含有貴稀金屬的工業廢料，落實循環經濟，避免工業廢棄物因不當處理而污染環境，甚至造成寶貴自然資源的耗損。 

目前在黃金(Gold)的相關產品，包含氰化金鉀、金粒與條塊已獲得 UL 2809 驗證，保證提供客戶的產品中採用 100% 再生黃金作為原料。 在銀(Silver)的相關產品，氰化銀鉀已獲得 UL 2809 驗證，保證提供客戶的產品中採用 100% 再生銀作為原料。 

而含有稀有金屬銦(Indium)的ITO濺鍍靶材，透過 UL 2809 驗證，確保產品中的再生銦原料可達52%。

光洋集團目前取得UL2809認證的產品有： 氰化金鉀 (PGC)，金粒，黃金條塊，氰化銀鉀 (PSC)，ITO平面濺鍍靶材，ITO旋轉濺鍍靶材。

(6)分析服務

提供材料化性、物性及微觀結構各項檢測服務

以下為創鉅最近五年度開發成功之技術或產品:

濺鍍靶材

所謂濺射，其原理跟撞球非常類似，是指固體(濺鍍靶材)表面受到高能量粒子的衝擊，基於動量轉移（Momentum Transfer）的原理，固體表面的原子與分子從這些帶有高能量的粒子取得動能，得以自固體表面被轟擊出來，並在真空環境中以直線運動飛至待鍍物表面沈積成膜。

濺鍍靶材主要由靶材本體、背板等部分構成。由於高純金屬度普遍較軟，而濺射靶材需安裝在專用的機台內部完成濺鍍過程，機台內部為高電壓、高真空環境，因此，背板主要起到固定濺鍍靶材的作用，且需具備良好的導電、導熱性能。

以化學成份分類，濺鍍靶材可以區分為金屬靶材（純金屬鋁、鈦、銅、鉭等）、合金靶材（鍍鉻鎳合金、鎳鈷合金等）、陶瓷化合物靶材（氧化物、矽化物、碳化物、硫化物等）。

在濺鍍膜過程中，濺鍍靶需要安安裝在機台中完成濺射反應，濺射機台專用性強、精密度高，市場長期被美國、日本跨國集團壟斷，主要設備包括AMAT(美國)、ANELVA(日本)、Varian(美國)、ULVAC(日本)等業界知名企業。

產業概況

(1)薄膜濺鍍靶材與蒸鍍材產業

薄膜技術(Thin Film Technology)是現代科技重要的製程關鍵技術之一，應用領域極其廣泛，包括硬碟、光碟、半導體、顯示器、光學元件、太陽能電池、發光二極體、微機電、生醫、刀具等產業。其薄膜一般由金屬、合金或陶瓷等材料經成膜製程後，提供導電、導磁、 絕緣、耐磨損、耐腐蝕、抗氧化、光學特性以及裝飾等功能。 

物理氣相沉積（PVD）是製備薄膜材料的主流技術，包括濺射鍍膜和真空蒸發鍍膜，所使用的原物料為濺鍍靶材與蒸鍍材，其特性攸關鍍膜的品質，其中對於原物料的密度、金相及成份的均勻性、晶粒大小(grain size)、晶體方向(orientation)、純度(purity)及相組成(phase composition)皆須經過嚴格的設計及管控，且需依不同產業的條件來研製符合其需求的靶材。

隨 5G、AI、物聯網技術發達，電子裝置數量持續增加，為因應市場對於電子產品的倚賴日漸加深，元件製造所需之薄膜濺鍍材料需求預估將持續擴大。市調機構 Lucintel 2024 年調查報告指出，至 2030 年，全球濺鍍靶材和濺鍍薄膜市場預計將達到 54 億美元，2024 年至 2030 年的複合年成長率為 5.8%。主要是電子、半導體、太陽能、航太和汽車市場等應用正在推動市場成長。

(2)全球半導體製造業

根據全球半導體和電子設計與製造供應鏈的產業協會SEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)2025 年 10 月 8日發布的最新《300 毫米晶圓廠展望報告》。提到全球前端半導體供應商正在加速擴張，以滿足生成式人工智慧應用日益增長的需求，除反映晶圓廠區域化趨勢，以及資料中心與邊緣裝置對 AI 晶片需求的激增；同時也突顯了各關鍵區域透過建立在地產業生態系與供應鏈重組，對於實現半導體自主化的承諾日益增強。

根據該報告，全球半導體製造業預計將保持強勁增長勢頭，晶圓廠設備支出預計將在 2025 年首次突破 1,000 億美元，2026 年續增 9%至 1160 億美元，2027 年平穩增長 4%至 1200 億美元，2028 年則因先進製程擴產加速，年增 15%衝高至 1380 億美元。

(3)半導體封裝測試市場產業

隨著半導體應用領域迅速擴展，尤其在高效能運算(HPC)、5G、AI、記憶體等終端需求帶動下，促使先進封裝需求增加，各國政府亦基於半導體自主化而紛紛推動封測的本土化生產及研發，造成半導體封測廠商在各地陸續建置封測產能。

由於先進封裝投入成本及技術門檻較高，且需要晶圓製造、封裝技術進行垂直整合，將不同晶片封裝在一起，因此目前先進封裝技術由台積電、Intel 等晶圓代工、IDM 廠商領先，傳統封測廠商則隨後追趕，積極切入先進封裝領域。先進封裝技術包含覆晶封裝、晶圓級封裝、面板級封裝、2.5D 及 3D 封裝等，傳統封裝技術則涵蓋導線架封裝、SOT、QFN、BGA 等；根據台灣經濟研究院的統計資料可知，2024 年先進封裝市場規模比重為 49.9%，將於 2025 年超過傳統封裝市場規模比重來到 51.0%，並將在 2028年達到 54.8%的水準，反映自 2025 年開始先進封裝市場規模成長動能將明顯高於傳統封裝市場。

根據 YoleGroup 發佈的半導體封裝市場報告顯示，2024 年先進封裝市場規模約為 440 億美元，預計將以 9.5%的強勁複合年增長率成長，到 2030 年達到約 800 億美元，展現穩健上升趨勢。這股成長動能主要來自 AI 與高頻寬記憶體(HBM)製程持續升級，推動業界對高效能、低功耗與高密度封裝解決方案的強勁需求，使 3DIC 躍升為系統級整合的關鍵技術。

4)半導體材料市場

根據半導體材料研究與諮詢公司 TECHCET 報告，受惠於先進製程節點持續轉型挺進、單片晶圓材料耗用量提升以及先進封裝技術加速普及的推動下，半導體材料市場在 2025 年持續穩健發展。 

展望未來，TECHCET 預計半導體材料市場將在強勁的技術基本面和對次世代元件及封裝架構持續投資的支撐下，從 2025 年至 2030 年的複合年增長率將達到 5.4%。

根據 TECHCET 發表的半導體濺鍍靶材市場預估，2025 年全球半導體靶材需求為 14.5 億美元，到 2030 年會成長到 20 億美元，五年複合年增長率達 6.3%；以材料而言，銅及銅合金靶材將引領所有材料，複合年增長率超過 10%，這主要得益於需求量的成長和成本的上升。 

市場持續受到多種宏觀趨勢和地緣政治發展的影響。中國實施的嚴格出口限制擾亂了關鍵金屬的全球供應，導致原材料價格自 2025 年初以來翻倍成長，並在歐洲引發嚴重的供應短缺。同時，元件架構的不斷演進、異構封裝的成長以及對銅和阻隔材料的需求增加，都強化了物理氣相沉積 (PVD)在先進半導體製造中的關鍵作用。在此狀況下，客戶將策略性導入 更多在地化供應商及 BCP Source，以確保供應鏈之穩定性。

上下游供應鏈

濺鍍靶材產業鏈主要包括金屬純化、靶材製造、濺鍍及終端應用等階段，其中，靶材製造和濺鍍膜階段是整個濺鍍靶材產業鏈中的關鍵階段。

在主要原料方面，公司主要原物料包括黃金、銅、鎳、鉭、錳與石墨等各項金屬原料與製品，主要供應來源多為國際大廠與台灣廠商，皆為穩定且長期配合之優質供應商。

創鉅，是一家半導體薄膜濺鍍靶材公司，2025年營收4.4億，ROE為38%，毛利率為30%，負債佔資產比率62。營收以靶材佔91.57%，其他(主要係靶材材料相關之檢測分析、加工處理及技術服務，並包含材料回收與再利用服務等)佔8.43%。以毛利率來看，靶材毛利率為27%，其他毛利率為61%。銷售區域以台灣佔93.64%、亞洲佔4.33%，美洲佔1.79%，歐洲佔0.24%。公司客戶有台積電.....等等。創鉅研發佔營收比例為4%。

市場佔有率

創鉅於半導體產業的佈局逐漸由後段製程往前段延伸，供應的產品包含後段封裝用的 UBM 靶材、蒸鍍材與線材、中段金凸塊用的靶材及化學品，近年更積極投入前段高純靶材及貴稀金屬與陶瓷零組件的技術開發，善用合金製造技術以及貴稀金屬循環經濟之經驗，逐漸形成核心競爭力，已成功跨入一線晶圓代工廠及砷化鎵代工廠之供應鏈，逐漸打開市場。

於半導體前段 IC 製程及後段封裝領域所需之薄膜濺鍍製程原物料，創鉅已進入 tier 1 客戶的供應鏈；其中全球前段 IC 製程所需之靶材，根據 TECHCET 的預估，114 年總市場值(TAM)為1.45B USD，據此推算創鉅年度的全球市佔為4.35%。創鉅的產品主要應用於先進製程，在全球先進製程積極擴廠下，公司的市佔將隨之提升。

競爭

公司藉深耕材料科學於產業應用與循環經濟模式多年，建立相關合金合成與設計技術，亦提供產業材料循環方案，相關核心能力在台灣具有本土化優勢，目前國內無與公司從事完全相同產品線之公司。在國際競爭舞台中，日商 JX 與美商 Solstice(Honeywell) 主要聚焦前段製程 Cu 合金。其他競爭對有還有Tosoh，Praxair，江丰电子.....等等。

創鉅114 年度向第一大供應商光洋科採購金額佔進貨比重分為 53.34%，主係採購金屬原料所致。

創鉅 114 年度第一大客戶銷貨金額佔總銷貨淨額 69.46%，銷售對象為國內知名半導體製造廠，因高效能運算(HPC)、5G、AI、車用電子等終端需求帶動下，客戶對於公司產品之需求持續攀升，產生銷貨集中之情形。

發展趨勢

(a)先進製程方面，目前 3 奈米技術領跑業界，2 奈米及以下節點研發積極進行，電晶體從鰭式場效電晶體(FinFET)邁向環繞柵極(GAA)架構，預期帶來更佳性能與能效。朝向更小的電晶體尺寸，可提高晶片的運算能力、能效，並降低功耗，這項發展對於人工智慧、5G 和高階計算機等需要高效能的應用尤其重要。該發展方向帶動互連層 Cu 合金薄膜的需求量快速成長，以及新合金配比開發的需求。

(b)先進封裝技術蓬勃發展，包括 2.5D 矽中介層、3D 晶片垂直堆疊以及在大尺寸玻璃基板上的封裝。這些封裝技術的開發，拉動新一波新薄膜設備設計，並搭配相關大尺寸新型式靶材需求。

(c)異質整合成為新常態，透過先進封裝將不同功能、不同製程的晶片(如處理器與高頻記憶體)整合，大幅增強 AI/HPC 系統效能。異質整合將加速相關新世代記憶體、特殊模組元件之問世與應用，其中大量使用多層薄膜功能性材料，為潛在的特殊薄膜材料商機，具前瞻性的發展。

(d)材料創新方面，低碳材料與綠色製造則滿足永續發展需求。在追求性能之餘，半導體產業亦肩負減碳與環保的責任。近年來各大晶圓代工與封裝廠紛紛宣示碳中和目標(例如台積電承諾2050 淨零，並計畫 2040 年達成 100%再生能源電力)。

(f)全球與台灣主要業者積極佈局未來，地緣政治影響下，提升在地化供應與開發之迫切需求。

發展遠景之有利、不利因素與因應對策

短中長期發展目標

(1)短期目標(1~2 年)

創鉅短期研發計畫主要聚焦於先進半導體前段關鍵薄膜材料應用之領域，包括切入半導體供應鏈，提供濺鍍靶材，應用於各製程節點之導線薄膜材料，該應用隨著元件節點下探至埃米級，需求量持續提升，同時有新成份之需求，需持續改善量產與新成份合成技術；同步佈局先進封裝之薄膜材料市場，以接軌先進封裝市場之發展需求並針對提供循環再應用的材料永續技術（貴稀金屬等再利用）、半導體零組件等業務進行研發。

(2)中期目標(3~5 年)

公司中期研發計畫專注於兩大領域：先進半導體用之貴稀材料，非揮發性記憶體用與特殊製程用之功能材料。在貴稀材料的開發看好在埃米節點的應用;非揮發性記憶體用與特殊製程用之功能材料方面，潛在需求之相關合金材料需求多元，持續提前佈局，藉接軌業界開發之前期需求，導入未來產品量產，投資未來

(3)長期目標(5~10 年)

公司長期研發計畫主要聚焦半導體產業長期技術趨勢所需的關鍵材料，投資相關技術資源與設備，滿足關鍵材料的高純、高質、低碳之需求，以利成為半導體產業最佳之在地關鍵薄膜材料供應商。

成長性

隨著人工智慧、醫療保健、汽車和再生能源等領域的需求加速增長，全球半導體產業預計將在116 年突破 1 兆美元大關；根據 WSTS 的報告顯示，市場規模將從 113 年的 6,310 億美元增長至 115 年的 9,750 億美元；這反映出在 114 年至 117 年間呈現強勁成長，複合年均增長率(CAGR)高達 15.6%。在如此高的終端市場增長率下，其製程中(半導體前段 IC 製程、後段封裝製程)所需之材料將隨之呈現高增長。 

於薄膜製程(含濺鍍、蒸鍍及電化學沉積)原物料的供給面，因半導體製程對材料純度、潔淨度、微觀結構等要求日愈嚴苛，構成一定的進入障礙，不易有新進入者，供應量的提升主要來自目前供應商的產能擴增；現行主要供應商的擴產地點皆位於美、日、中，獨創鉅位於台灣，享有本土供應的優勢。