特殊製程、成熟邏輯製程晶圓製造服務公司，聯電(2303.TW)

長期經營績效良好的"晶片設計"公司，在市場上隨便抓都一大把。但是長期經營績效良好的"晶圓製造"公司，卻非常稀少。這意味著晶圓製造經營的難度超乎一般人的想像，晶圓製造絕非只是買買儀器，來料加工如此簡單。以全球前10大晶圓代工公司為例，長期經營績效良好的只有屈指可數的兩家，也就是"台積電"和"世界先進"。其中，目前台積電的規模已經稱霸晶圓製造行業，遠遠拋開其他公司。也就是說，其他公司要生存，只能聚焦在"特殊製程"，走"利基型"經營，如"世界先進"。這邊就來簡單理解一下特殊製程、成熟邏輯製程晶圓製造服務公司，聯電。聯電這幾年經營績效有明顯改善。

聯電，主要提供晶圓製造服務，聚焦在"邏輯製程"、各式"特殊製程"及完善的解決方案。

目前聯電提供完整的12吋及8吋晶圓製造代工服務，其製程技術節點橫跨12奈米到0.6微米。客戶可以根據其IC產品之需求，選擇適合的製程節點及技術，如互補金屬氧化半導體邏輯（CMOS Logic）、立體鰭式場效電晶體（3D FinFET）、射頻互補金屬氧化半導體 （RF CMOS）、嵌入式非揮發性記憶體（Embedded Non Volatile Memory）、嵌入式高壓（Embedded High Voltage）、BCD（Bipolar - CMOS - DMOS）、射頻絕緣上覆矽（RFSOI）、砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、2.5D／3D 先進封裝等各式製程。客戶完成產品設計定案後，交由聯電依規格製造生產。

聯電十二座晶圓廠分佈於亞洲各地，提供多元化且具有韌性的供應鏈，其中四座是先進的 12 吋廠。台灣、新加坡、日本和中國大陸的生產基地為客戶提供彈性供應鏈選擇。隨著新加坡P3擴廠的完成，及與英特爾在美國亞利桑那州的量產計畫，聯電將在多變的地緣政治環境中提供更多選擇與服務。

在製程品質端，聯電在多個特殊製程領域已佔有領先地位，如嵌入式高壓（eHV）、RFSOI、及嵌入式非揮發記憶體製程（eNVM）等。

聯電與英特爾（Intel）合作共同開發的12奈米平台順利推進，為客戶提供先進技術藍圖，並在特殊製程開發中鞏固市場領先地位，避開產能過剩壓力。同時，聯電積極佈局先進封裝技術，以迎接AI與邊緣運算時代。

以下為聯電主要製程技術與相對應之用途

(1)互補金屬氧化半導體邏輯（CMOS Logic）製程：

用以製造執行邏輯運算功能之晶片，如特定應用處理器、可程式化閘陣列、及各式多媒體處理器等晶片。 

(2)立體鰭式場效電晶體（3D FinFET）製程：

相較於28及 22奈米以上節點所用之傳統平面式電晶體元件製程，3D FinFET製程更適用於強調高性能低耗電之高階邏輯運算應用，如手機基頻處理器、應用處理器、高速記憶體控制器等晶片。 

(3)射頻互補金屬氧化半導體（RF CMOS）製程：

用以製造高頻無線通訊之晶片，如手機射頻收發器、無線區域網路、藍芽通訊等晶片。 

(4)嵌入式非揮發性記憶體（Embedded Non Volatile Memory）製程：

用以製造整合邏輯和嵌入式記憶體製程 (Emb-Flash／RRAM／MRAM )的晶片，如通用型微控制器、觸控晶片、智慧卡晶片、金融卡晶片、車規微控制器、物聯網低功耗微控制器等晶片。 

(5)嵌入式高壓（Embedded High Voltage）製程：

用以製造手機、電視、平板、AR／VR等LCD與OLED面板所需之顯示驅動IC、電子紙螢幕驅動IC等晶片。 

(6)BCD（Bipolar - CMOS - DMOS）製程：

用以製造各式電源管理及電源轉換等晶片，廣泛用於手機、筆記型電腦、汽車、電視、平板及各式工控電子產品。 

(7)射頻絕緣上覆矽（RFSOI）製程：

用以製造手機、無線區域網路、無線基地台前端裝置所需之射頻開關及低噪放大器等晶片。 

(8)砷化鎵（GaAs）製程：

用以製造手機、通訊基地站所需之無線射頻前端相關晶片。 

(9)氮化鎵（GaN）製程：

用以製造通訊基地站之5G射頻前端相關晶片，以及用於搭配手機、平板、筆記型電腦等高功率密度行動充電器、資料伺服器的電源供應器、電動車車載充電器所需之晶片。 

(10)2.5D／3D先進封裝製程：

廣泛用在各式應用場景，如高效能電腦運算、5G智慧手機鏡頭模組、人工智慧邊緣裝置、及車用先進晶片等之製造。

以下為聯電未來聚焦之技術:

(a)12奈米FinFET製程技術平台（12FFC）

聯電目前積極開發的12奈米鰭式場效電晶體製程平台（12FFC, 12nm FinFET Compact），相對於14FFC，性能有大幅提升，晶片尺寸更小，功耗更低，在 FinFET製程平台更具有競爭的優勢，有助於驅動次世代矽晶片於網路、人工智慧與更高階消費性電子產品上的應用。

聯電也與英特爾進行在美國製造的12奈米FinFET製程合作，是聯電追求具成本效益的產能擴張，和技術節點升級策略的重要一環，更是延續對客戶的一貫承諾。目前12奈米的合作進展順利。

(b)2.5D & 3DIC異質整合封裝技術

聯電積極開發之先進封裝（2.5D and 3DIC）解決方案已取得多項成果。在移動設備之射頻元件應用方面，利用晶圓級混合鍵合技術（W2W hybrid bonding），達成尺寸微縮（Form factor reduction）的優勢。

在邊緣人工智慧（Edge AI）方面，與供應鏈建立W2W 3D IC 專案，進入邏輯晶片與客製化記憶體的異質整合驗證；在高效能運算（HPC）與雲端人工智慧（Cloud AI）應用方面，成功研發在矽中介層 （Si interposer）中加入深溝槽電容（DTC, Deep Trench Capacitor），能為2.5D封裝晶片提供優異的電源完整性（PI, Power Integrity）。

(c)矽光子技術

聯電與全球領先的先進半導體技術創新研發中心imec簽署技術授權協議，取得imec iSiPP300矽光子製程，該製程具備共封裝光學(Co-Packaged Optics, CPO)相容性，將加速聯電矽光子技術發展藍圖。

隨著AI數據負載日益增加，傳統銅互連面臨瓶頸，矽光子技術以光傳輸數據，正快速發展以滿足資料中心、高效能運算及網路基礎設施對超高頻寬、低延遲及高能源效率的需求。聯電將結合imec經驗證的12吋矽光子製程技術、加上自身在絕緣層上覆矽(Silicon-On-Insulator, SOI)晶圓製程的專業，以及過往8吋矽光子量產經驗，為客戶提供高度可擴展的光子晶片(Photonic Integrated Circuits, PIC)平台。

產業概況

近年來人工智慧、雲端與邊緣運算、車用電子／電動車、智慧手機、物聯網、元宇宙…等應用逐漸多元化，也促使半導體產業規模持續成長。大型雲端業者持續導入高階伺服器，以積極進行AI大型語言模型訓練及推論。此高效能算力之強勁需求，將持續帶動先進製程及先進封裝的高速成長。在成熟製程方面，雖然半導體產業已逐漸擺脫庫存調整陰霾，但消費電子終端需求平淡，導致相關領域晶圓代工需求僅微幅成長。

專業晶圓代工製造在半導體產業供應鏈中扮演的角色至關重要。無晶圓廠IC設計公司與晶圓代工廠商合作的運營模式，經過數十年的演進已成為半導體產業的發展主流。許多整合元件製造廠商基於成本效益之考量，陸續選擇不再自行建廠投入先進晶圓製造，轉而提高委外晶圓代工之比例。此外，有些系統品牌廠商亦進行自有晶片之開發，並委外於晶圓代工廠生產製造。這些長期產業趨勢均有利於晶圓代工產業的持續成長。

回顧近年半導體產業發展，記憶體和邏輯領域的成長尤為顯著，此增長主要受惠於人工智慧和高效能運算應用的需求所推動，尤其是對高算力晶片和記憶體晶片的需求大幅增加。與此同時，離散元件、光電元件、感測器和類比半導體等其他類別則出現微幅下降。在成熟製程方面，人工智慧邊緣運算應用之拓展，為成熟製程晶圓代工成長的有利因素。

聯電，是一家特殊製程、成熟邏輯製程晶圓製造服務公司，2025年營收有2376億，毛利率為29%。以2024年為基準，近5年ROE為13%，18%，29%，21%，12%。毛利率為33%，35%，45%，34%，22%。資產負債率為34%，36%，37%，40%，38%。以製程來看，在2025年，22/28nm佔37%、40nm佔16%、65nm佔17%、90nm佔8%、0.11/0.13um佔7%、0.15/0.18um佔10%、0.25/0.35um佔4%、≥0.5um佔1%；產品終端應用比重為通訊佔41%、消費性佔31%、電腦佔12%、其他佔16%。從客戶別來看，設計公司佔81%、整合元件廠佔19%；產品銷售地區比重以亞洲佔65%、北美佔22%、歐洲佔9%、日本佔4%。聯電客戶有聯發科，聯詠，Samsung，Qualcomm......等等。

競爭

聯電競爭對手有括台積電（TSMC）、三星（Samsung Found ry）、中芯半導體（SMIC）與格芯（GlobalFoundries）等廠商。

市佔率

以2025年第三季全球晶圓代工市場為例，聯電市佔率為4.2%。

不利因素

(1)中國大陸為發展半導體供應鏈自主，因先進技術和設備輸入受到限制，轉而大舉擴建半導體成熟製程產能，並積極補貼扶植國內廠商；中國大陸的半導體競爭者，得以借力政府補助而降價拓市。研判隨著中國大陸半導體產能陸續開出，競爭態勢將更加嚴峻。。

(2)地緣政治風險為晶圓代工產業發展之一大變數，近年來美中貿易戰與科技制裁升溫，須持續觀察相關的出口管制及法規限制可能造成之潛在不利影響。