來更新一下ALD原子層沉積、PVD物理氣相沉積、Bonder/De-bonder、Etch、CVD設備公司，天虹。天虹是台股少數聚焦在半導體前段設備的公司。近幾年，天虹也切入先進封裝，研發出扇出型面板級封裝(FOPLP)設備。另外，天虹透過子公司輝虹收購映思科技，切入EUV光罩膜檢測。
天虹，是以高真空電漿技術為技術核心，提供半導體及相關科技產業的設備設計及製造、零件加工與服務專業服務。主要的產品為物理氣相沉積（PVD）、原子層沉積（ALD）、晶圓鍵合／解鍵合機（Bonder/Debonder）、電漿去光阻（Descum）及與薄膜製程、蝕刻製程、擴散製程、研磨製程、量測製程、黃光製程及自動化相關之零組件所衍生的服務及產品。
除了延續過去在光電與化合物半導體的碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)相關應用的設備的研發外，天虹在半導體封裝產業，也有了相當的成果。目前，公司產品主要應用於半導體先進製程、先進封裝、光電產業及化合物半導體。
在自製設備上，天虹也將從薄膜區跨足到蝕刻區，更進一步成為高真空電漿設備整合製程方案的方案供應商。
近來，由於人工智慧需求所帶動的先進封裝趨向以玻璃進行 Panel Level Package ( PLP ) 的趨勢，使得 PVD 和 ALD 都有向大面積鍍膜的趨勢，天虹目前也在進行大面積鍍膜之 PVD 及 ALD 機台之設計。
天虹的產品和服務為:
(1)半導體零備件:
耗材改善及製造、維修及功能改善、客製設計產品等，耗材包括波紋管、陶瓷件、石英件、金屬件、氣體均流器、工程塑膠等。
(2)半導體設備:
ALD原子層沉積、PVD物理氣相沉積、Descum電漿除殘膠，Bonder鍵合機、De-Bonder解鍵合機、Skiwar自動取放片機。
以下為個別產品簡單介紹:
(a)物理氣相沉積 ( PVD )
主要製作半導體中的金屬層做導電層及晶種層，或金屬氮化物層做阻障層及過渡層。
Sputtering（濺鍍）是一種物理氣相沉積方法，主要是在高真空環境中，通入製程氣體（如；氬氣Ar），透過施加高電壓，將氣體解離成電子，離子，形成電漿，透過將帶正電的高能粒子（如離子）轟擊固體材料（靶材）表面，導致原子或分子從表面逸出的一種現象，這些逸出的原子或分子可用於沉積在基材上，形成薄膜。
新近發展的 Panel Level Package，由於要使用電鍍銅之前必需要使用濺鍍機成長鈦 ( Ti )、銅 ( Cu )做為阻障層及晶種層 ( Barrier layer & Seed layer )，使得 PVD 的需求更加提昇。
天虹製作之 PVD 被廣泛應用於矽晶圓製程前後段、先進封裝、化合物半導體應用、光電等領域，最普遍的應用是用於金屬沉積（如：鋁 Al、鈦 Ti、鎳 Ni 等） 及特定絕緣層濺鍍 （如：二氧化矽 SiO2、氮化矽 SiN）。
(b)原子層沉積 ( ALD )
主要製作半導體中的絕緣層，取決高階梯覆蓋率及薄膜緻密性的特點，在線寬逐步微縮的趨勢下，傳統 PECVD 已不堪使用的條件下，ALD 有取代 PECVD 的特性，使用領域越來越廣。
原子層沉積（ALD）是一種薄膜沉積技術，主要用於製造高品質的薄膜，特別是在半導體、光電子和表面工程等領域。ALD 的特點是能夠在原子等級上精確控制薄膜的厚度和組成，這使ALD 在現代材料科學中扮演著重要角色。
ALD 和傳統的化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD）最大的差別是讓原子一層層的堆疊起來，形成薄膜。 ALD 的成膜過程使得沉積具備精準的厚度控制，極佳的均勻性，接近100% 的表面覆蓋性（Step coverage）傳統的薄膜製程技術皆無法望其項背。
而新近發展的 Panel Level Package，在使用濺鍍機成長鈦 ( Ti )、銅 ( Cu )做為阻障層及晶種層 ( Barrier layer & Seed layer ) 在玻璃前，有需要使用 ALD 成長諸如氧化鋁 ( Al2O3 ) 等緩衝層， 以改善鈦 ( Ti )、銅 ( Cu ) 在玻璃上附著力 ( Adhesion )，使得 ALD 的需求更加提昇。
原子層沉積技術突破，使得 ALD 近年來在半導體元件製造，光電科技，太陽能電池製造，鋰離子電池製造甚至是做為生物醫學方面的應用都有越來越多的趨勢。
天虹 ALD 產品與其他競爭者的優勢在於：天虹除了有典型的 Thermal ALD 以外，更有以天虹核心高真空電漿為基礎的 PEALD（Plasma Enhanced ALD），PEALD 在透電漿協助反應下，可以做的薄膜種類非常多種，且透過電漿的促進反應，使得成膜的溫度可大幅度降低。
天虹製作之 ALD 被廣泛的應用於矽晶圓製程、化合物半導體應用、光電應用都會有用到。最普遍的應用是用來沉積保護層 Passivation（如：氧化鋁 Al2O3、氧化鈦 TiO2、氮化鋁 AlN等）或特定金屬薄膜（如：鉬金屬Mo、氮化鈦TiN)
(c)電漿輔助化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)
PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, 電漿輔助化學氣相沉積）是半導體製造中常用的一種薄膜沉積技術，利用電漿來促進化學反應，將氣相中的前驅物分解並沉積在基材表面，形成均勻的薄膜。PECVD 技術廣泛應用於沉積氧化物、氮化物、碳化物及其他功能性薄膜，如 SiO2、Si3N4 和 DLC（鑽石類碳） 等。
PECVD 的製程原理是，將前驅物導入真空反應腔內，透過 shower head 使前驅物氣體在反應腔內分布均勻的與基材表面接觸，並在反應腔內施加高頻射頻（RF）電場（通常為 13.56 MHz），使氣體電離形成電漿，而電漿中的高能電子與氣體分子碰撞後，將引發一系列化學反應，產生活性中間體（如自由基、離子和中性粒子）。而反應生成的活性中間體則在基材表面發生化學反應，形成固態薄膜（如 SiO2 或 Si3N4 ），沉積過程中，未反應的副產物以氣體形式被抽離反應腔，防止污染，反應持續的進行，使得薄膜在基材表面逐漸的均勻成長後，即可持續達到想要長的厚度。
(d)晶圓鍵合機 ( Bonder )
因為散熱及降低阻值的需求下，晶片的厚度將被要求越來越薄。在減薄的過程中，為了提供晶圓足夠的機械強度，以及晶片減薄後在接續的晶片背面製程中能避免過度翹曲，因此需要在減薄前先將晶片鍵合一片支撐晶片，其中對位的精度及鍵合後的平坦度是設備工作的關鍵。
臨時鍵合和解鍵合技術在現代製造業中扮演著關鍵角色，特別是在需要高精度和臨時固定的場合，如半導體、光電、MEMS 和先進封裝等領域，鍵合機和解鍵合機這兩台設備，分別用於兩種材料的接合與解除接合。對於製造高效能的電子元件、 光電元件以及其他微型裝置至關重要。
鍵合機（Bonder）的核心作用是利用一種臨時黏貼材料（例如特殊的臘或黏貼膠）將目標材料固定在支撐基板（Carrier substrate，如晶圓、藍寶石、玻璃等）上，從而提供支撐和穩定性，方便後續的加工，因是臨時黏貼，需要考慮後續的製程面對的是酸蝕刻、濺鍍、雷射退火、黃光，因此黏貼材料能承受機械應力、化學處理或高溫環境。
天虹的鍵合機及解鍵合機為貼近客戶之技術及成本需要，有各種不同的尺寸， 2/3 吋到 12 吋共用的各型機種，更有深受化合物半導體製造商愛用的 4 吋/ 6 吋全自動鍵合機。壓力也有不同的選擇從 < 30N 的自重型到 100N ~ 4000N 的鍵合壓力機，天虹均可提供，並依客戶需求客製。
天虹製作之解鍵合機普遍和鍵合機搭配，被廣泛的應用於矽晶圓半導體製程前後段如晶圓薄化 步驟、先進封裝如 3D IC 中的多層晶圓堆疊，晶圓級封裝中固定晶圓後進行研磨、蝕刻、薄化和黃光等製程、化合物半導體和光電應用如 Micro LED 之晶粒轉移、SiC 晶圓薄化、微機電製程等製程中只要有需要固定晶圓或晶粒在支撐基板上，以確保對準精度及防止加工過程中的損壞的步驟都有機會用到鍵合機。
(e)晶圓解鍵合機 ( Debonder )
鍵合晶片在完成減薄及晶背製程後，減薄的晶片需要跟支撐晶片脫離，如何能讓非常薄且帶翹曲的減薄晶片安全地跟支撐晶片脫離，支撐晶片可以回收使用，全程要在自動化的條件下完成，是本站的工作重點。
解鍵合機（De-bonder）的作用則是與鍵合機相反，通過特定的條件，將已黏貼的目標材料從支撐基板上分離，同時確保材料的完整性和表面無損傷。會使用加熱、特定波長的 UV 照射，或用特定溶劑使目標材料和支撐基板分離。
解鍵合機也會使用機械力及雷射進行分離，此過程最需要在製程中注意不能損壞目標材料或支撐基板，且分離過程應迅速且易於操作，適合大規模生產，而分離過程中也應盡量避免使用有害化學品，以及減少廢棄物的產生。
鍵合及解鍵合設備在半導體製程技術中，只要有晶圓減薄的需求，都會有機會運用到，尤其是相關碳化矽 ( SiC ) 和功率半導體的運用中更是關鍵。而近來功率半導體向 12 吋製程移動，以及 SiC 製程向 8 吋移動的產業趨勢，也使得晶圓鍵合機及解鍵合機的需求，持續提昇。
(f)電漿去光阻 （ Descum ）
在半導體製程中，在先進封裝製程中，都會用到光阻及 Polyimide，如何適當的去除光阻和polyimide 是 descum 的工作，而在製程中，只要有光阻和 polyimide 的使用，就有機會需要用descum。
Descum 是半導體製程中的一個頻繁出現的關鍵步驟，這個步驟主要是使用電漿 （Plasma）乾蝕刻技術，通過化學反應和物理作用將表面殘留物清除。通常用於去除顯影後光阻在晶圓表面殘留的極薄的光阻（稱為”Scum”），在顯影後或蝕刻過程中殘留在基板表面的少量光阻（Photoresist），以及清除表面的有機污染物， 避免因光阻殘留所形成的圖案缺陷，使得蝕刻過程可以更均勻。
天虹製作之 Descum/Plasma Polish 被廣泛的應用於矽晶圓製程前後段、先進封裝、SiC 化合物半導體晶圓製作等工藝，最普遍的應用是用來在光阻或 PI 顯影後，使用 descum，去除 PR 或 PI 的 residue，Laser release layer 的移除，ABF 的 dry etching，以及 SiC 晶片研磨後利用 plasma polish 移除 damage layer。
(g)EUV Pellicle 檢測機
天虹子公司輝虹科技所研發之極紫外光穿透反射量測設備，是使用飛秒雷射以及自製高次諧波產生（HHG）系統，產生關鍵 EUV 光源，利用同調極紫外光源量測光罩護膜，與極紫外光顯影製程中相關薄膜對極紫外光相對應的穿透率和反射率，提供自動化精準量測極紫外光特性之檢測機台。
極紫外光（Extreme Ultraviolet, EUV）是一種波長範圍在 13.5 nm 附近的短波長光源，位於紫外光譜的極端部份。由於其極短的波長特性，EUV 被廣泛應用於先進半導體製程中，特別是在顯影技術（EUV Lithography） 中。而 EUV 所使用之 Pellicle 是需要頻繁的檢驗，此檢驗是半導體製造中一項重要的檢測流程，旨在確保 EUV 曝光過程中使用的 Pellicle（光罩保護膜） 的品質和可靠性。Pellicle 是一層極薄的保護膜，覆蓋在 EUV 光罩（Mask）上，用於防止污染物（如塵埃）直接附著在光罩表面，從而避免影響顯影圖案的轉移。
(h)半導體設備零備件及相關服務 ( Spares & Service )：
主要提供半導體製程設備上的關鍵零組件、相關維修及翻新，同時可以進一步提供性能及性價比提升的相關改良改進方案以及客製化的調整，同時也提供設備遷廠、遷廠後再度裝機及設備平時預防保養的相關服務。
原子層沈積 (ALD)，傳統 PVD、CVD
原子層沈積 (Atomic Layer Deposition, ALD) 是一種可以將材料一層一層成長的薄膜製程技術，一般常見的 ALD 製程由四個步驟組成，以成長材料 AB 為例，(a)首先將含有 A 成分的化學氣體(前驅物)與基板反應，(b)利用大量惰性氣體(例如氮氣、氬氣)將化學氣體移除，(c)投入含 B 成分的化學氣體(前驅物) 進行反應，(d)再次注入大量惰性氣體將剩餘的化學氣體移除，然後重複步驟 a。
藉由這四個步驟，含有 A 成分與 B 成分的化學氣體在整個製程過程中不會相互接觸，因此所有反應只會發生在基板表面，每一次循環的過程僅形成厚度為一層原子的薄膜，也因此讓每次鍍膜厚度的精確性達原子級(約 0.1 nm)的尺度，並具有極佳均勻性。也因為成長過程被侷限在基板表面，在具有結構的表面上也能得到很好的覆蓋率與均勻性。
ALD 藉由將材料一層一層成長在基板表面，雖然在成長速度上比傳統的物理氣相沈積 (Physical Vapor Deposition, PVD) 與化學氣相沈積 (Chemical Vapor Deposition, CVD)薄膜製程緩慢，但因 ALD 獨特的表面成長機制，使其不受表面結構影響，可以形成厚度均勻的薄膜，同時因每一次循環僅形成為一個原子層厚度的薄膜，可以達到極為精準的膜厚控制。
且 ALD 所需要的製程溫度遠低於 PVD 及 CVD，可以應用在一些無法承受高溫的基板材料。當元件發展逐步朝向尺寸微小化，結構複雜化的方向演進時，ALD 將逐步取代傳統 PVD、CVD 製程。
以圖為例，(a) PVD 與 (b) CVD 均受限於材料源頭與目標的相對位置限制，無法達成均勻鍍膜，(c)ALD 藉由獨特的表面成長機制，可以不受結構限制長均勻薄膜。(d)用 ALD 在開口為 100 nm、深度 18 μm 的溝槽結構成長厚度為 8 nm 的薄膜，各個位置厚度誤差小於 1 nm。
FOPLP
FOPLP 技術可在更大面積的方形載板上進行 Fan-Out 製程，量產出4倍於300毫米矽晶圓晶片的先進封裝產品，其 Panel 載板可以採用 PCB 載板，或者液晶面板用的玻璃載板，具有提升電氣性能與 I/O 密度、支援薄型化設計等優勢，且可整合封裝前後段製程，降低生產與材料成本。目前，全球各大封裝業者均積極投入 FOPLP 製程技術。
在 FOPLP 進程方面，2025 年起將快速成長，目前以玻璃 Base 製程為主，應用於 PMIC、RF 等小型晶片，預計技術累積數年後可望進軍封裝面積要求更大的 AI 晶片市場，並導入技術門檻要求更高的玻璃 Base 產品。
WFE市場概況
根據 Gartner 最新數據顯示，2024 年全球半導體晶圓廠設備（Wafer Fab Equipment, WFE，包含晶圓製造，晶圓廠設施，光罩設備）市場規模達約 1,071.2 億美元，較 2023 年的 1,029.3 億美元成長約 4.1%，延續了市場穩定的成長趨勢（資料來源：Gartner, 2024）。市 場增長主要受到 AI、車用電子、資料中心等應用需求持續提升，以及晶圓廠持續進行資本投資以提升產能與技術能力的推動。
114 年 WFE 市場預計小幅成長 2%-4%，主要受 AI/HPC 應用帶動，推動先進製程(GAA、BPD)技術導入、HBM 需求成長，以及先進封裝技術發展，帶動半導體設備投資增加。
產業上、中、下游之關聯性
公司原料有機構件(包含設計及模擬)，設備前端模組(EFEM)，叢集式傳輸腔體，加熱器，冷卻器，閥件，真空幫浦，機械手臂，壓力計，電漿源及匹配模組，流量計，真空靜電吸盤(ESC)。
天虹為半導體製程設備製造商與製程設備上的關鍵零組件供應商，涵蓋半導體產業的中下游。在傳統的矽製程中，天虹提供給晶圓製造廠商 PVD作為其金屬導線的製程機台，提供 ALD以做為阻障層或保護層的製程機台，以及提供 Descum 做為蝕刻後去除光阻殘留的製程機台以及其他各項製程如蝕刻、擴散、薄膜等製程之關鍵零組件之維修及保養，為各大晶圓廠的長期合作夥伴。
在封裝製程中，天虹提供進行晶圓封裝廠商作為其層狀結構的球下金屬層 Under Bump Metallization (以下簡稱 UBM )金屬的製程機台，薄化前後的鍵合及解鍵合製程機台以及其他各項製程之關鍵零組件之維修及保養，是各大封裝廠的長期合作夥伴，而近年來在探針卡上的先進測試，也會用到 sputter 進行 Ti/Cu 的成長。
在化合物半導體製程中，天虹提供晶圓製造廠商在鍵合、解鍵合及正面 PVD、背面 PVD 金屬製程及 ALD passivation (保護層)製程之機台，以及其他各項製程之關鍵零組件之維修及保養，是崛起中的各化合物半導體製程製造廠家之共創未來的合作夥伴。
天虹，是一家ALD原子層沉積、PVD物理氣相沉積、Bonder/De-bonder、Etch、CVD公司。近2年ROE為12%，12%，毛利率為44%，44%，資產負債率為19%，25%。以2024年為例，公司營收以機台(包含ALD、PVD、Bonder/De-bonder、Etch)佔49.08%，零備件佔32.69%，其他佔18.23%。其中，機台主要應用在化合物GaN，化合物SiC，化合物GaAs，光電，矽基半導體，封裝。銷售區域以台灣佔43.96%，中國佔46.17%，新加坡佔7.11%，亞洲其他佔2.32%，歐洲佔0.21%，美洲佔0.23%。天虹研發費用佔營收比例為10.5%。
競爭
半導體產業中尤以半導體設備扮演最重要的角色，概略可分為前段製程設備與後段封測設備。前段製程主要設備包括光刻設備、蝕刻設備、薄膜沉積設備、離子注入設備、清洗設備、機械拋光設備以及擴散設備等，而後段封測設備主要包括分類機、測試機與切割機等，然而，上述半導體設備市場大多由國際廠商所壟斷，其中包含艾斯摩爾(ASML)、科林研發(Lam Research)、東京威力科創(TEL)與應用材料(AMAT)等。
天虹，雖為沉積設備開發的後進者，但知名半導體及電子元件研究機構 Yole Développement 報告中，已將天虹列為世界主流的 ALD 設備供應商。
天虹設備領域的主要競爭對手係為國際知名半導體設備廠，另統計五大半導體設備廠，其設備之主要應用領域如下：
(a)美商應用材料 Applied Materials:
曝光機以外的各類半導體設備（沉積、蝕刻、量測、檢驗、熱處理等）。
(b)荷蘭艾司摩爾 ASML:
EUV 及其他各類型微影曝光系統（lithography systems）。
(c)日商東京威力科創 Tokyo Electron:
熱處理（thermal process）、沉積（deposition）、蝕刻（etch）及其他。
(d)美商科林研發 Lam Research:
沉積（deposition）、蝕刻（etch）及其他。
(e)美商科磊 KLA:
量測（metrology）、 檢驗 （inspection）及其他
提高台灣供應鏈供給比率
公司除了持續精進在半導體設備零組件的開發案，在自製設備上也將持續移轉零備件開發的經驗，提高在台灣供應鏈上的供給比率，希望將每項自製設備的 MIT ( Made in Taiwan )比例拉至 80 % 以上(以 BOM 的價值計算)，強化在地化的競爭力。
天虹產品未來發展
天虹在開發物理氣相沉積 ( PVD )及原子層沉積 ( ALD )設備後，已具備強大的高真空電漿應用的相關經驗，在 PVD及 ALD領域持續深耕是公司的重要發展方針，Descum 是 112 年所推出之產品，已出機 2 台到歐洲在台灣之客戶，並已進行驗收，目前已進行 repeat order 機台的協商討論，並且利用 descum 通入蝕刻氣體的概念，衍生出 plasma polish 以因應 SiC 製程之需要。
ABF 蝕刻機因應封裝客戶端之需求，目前均持續與客戶合作測試，Carbon PVD 的發展也打入第三類半導體公司，目前已持續出機到客戶端。
除了 Descum 和 Carbon PVD 外，也持續進行不同應用的發展，如薄膜電阻製程 TFR（Thin Film Resistor）、量子點 QD（Quantum dot）、矽晶穿孔製程 TSV（Through Silicon Via）、玻璃穿孔製程 TGV（Through Glass Via）等相關不同領域之應用，並持續提升品質，除了向前段代工廠供應關鍵零組件外，更持續與前段代工廠合作進行機台的開發與認證。
而 PECVD 的開發，則是天虹受世界最大代工大廠之邀請進行原型機設計及開發，目前已可提供該公司進行 high k 製程之開發及測試，預計 114 年 Q3 可完成製程測試。 另外，天虹亦與客戶合作進行 metal ALD之製程開發，目前鉬金屬，氮化鈦金屬均有客戶使用於金屬鍍膜製程。
在鍵合/解鍵合機方面也跳脫原先著重在化合物半導體4吋6吋的範圍，目前與國內大型封裝廠進行 8 吋鍵合機之開發，預計在 114 年 Q2 即可開始進行客戶晶圓之測試，預計 Q4 出機至客戶端，而 12 吋鍵合機之開發則是透過與世界級封裝大廠進行合作，設計已初步完成，目前進行原型機之組裝，預計在 114 年 Q4 即可開始進行客戶晶圓之測試，115 年可出機至客戶端。
在 FOPLP 方面，天虹也已開始進行設計，以符合 600mm*600mm，並兼容 510mm*515mm 及 300mm*300mm 的 PVD 腔體及為改善附著力的 ALD 腔體，另外，為考量在進行 ABF 蝕刻，公司亦使用 Descum 之衍生概念，設計 ABF 蝕刻機以符合 FOPLP 客戶之需求。
未來高真空電漿設備，將面臨更挑戰的結構(在更高的深寬比下，達到更好的階梯覆蓋率的要求)、更好前置表面處理 ( Surface treatment ) 的要求、更純的膜值、更高的產出及更高的稼動率。為因應上述之挑戰，產品的設計更需從客戶製程目標結果出發，先期投入並與客戶在研發階段就一起合作，期望在客戶產品成功發表時，公司的設備即可成為客戶生產的標準配備機台，並持續隨著客戶進步與成長。
而除了天虹本身之開發持續努力外，也持續透過培養及投資子公司的研發，以使整個集團競爭力提昇，天虹已在進行 EUV 光罩檢測公司之併購，透過此併購，公司將直接取得 EUV 光罩之檢測技術，為天虹的技術多面向，產品多元化提供一個更新的平台。
進入門檻高
半導體產業為一高度精密之行業，製程工序複雜且容錯率極低，為維持每一階段製程的品質穩定，產線中所使用的半導體設備即扮演重要的角色，因此，各廠商對於設備的品質皆採取最嚴苛的品質控管，唯有通過認證的設備才得以投入產線中進行生產，且一旦獲得認證就不易更動供應商。
成長性
物理氣相沉積 ( PVD ) 技術是所有半導體製程中(前段半導體、後段半導體、化合物半導體、光電產業)的關鍵，也是一定必須的技術，短時間內看不到新的技術可以取代，而目前市場預期會大幅成長的矽光子製程，FOPLP，先進封裝製程，車用半導體製程也都會用到 PVD 技術， 預期 PVD 之出機仍會維持成長。
原子層沉積 ( ALD ) 技術是新一代的半導體製程技術， 在未來線寬越來越細、薄膜品質要求越來越高時，原子層沉積成為非常關鍵的解法，不管是在矽基半導體 GAA 製程或是先進封裝或是第三類半導體的市場，都有明確的成長機會。
晶圓鍵合及解鍵合 ( Bonder&Debonder ) 技術在目前及未來晶片減薄的製程工作上扮演著救火隊的角色，日後如果因為散熱以及降低阻抗的需求，晶圓要越磨越薄，晶圓鍵合及解鍵合就越來越關鍵，目的是要提供減薄的晶片足夠的機械強度，除了要能克服減薄時的挑戰，也要能支持減薄後的後製程溫度及應力的嚴苛需求，應用面隨半導體製程的精進，需求也越來越多。
同樣，在光阻的使用道數越來越多時，去光阻的需求也越來越多，這也是天虹為何著墨 Descum 設備的開發，除了希望切入 急速成長的市場之外，也希望利用 Descum 的開發來建立公司在蝕刻設備開發的經驗，蝕刻機在未來也是天虹積極發展之方向。
同時，另外一個發展機會則是 PECVD，只要需要成長 dielectric 薄膜就會用到，天虹也持續發展。
人工智慧需求所帶動的先進封裝趨向以玻璃進行 Panel Level Package ( PLP ) 的趨勢，使得 PVD 和 ALD 都有向大面積鍍膜的趨勢，天虹目前也在進行大面積鍍膜之 PVD 及 ALD 機台之設計。
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