半導體濕製程設備公司，辛耘(3583.TW)

來簡單理解一下半導體濕製程設備公司，辛耘。辛耘和台股另一家半導體設備公司，弘塑，都聚焦在半導體濕製程設備。

辛耘， 主要產品為半導體、LED、封裝測試與 TFT-LCD設備研發和代理銷售公司。辛耘耕耘半導體設備三十餘年，累積擁有超過25年以上之濕製程、 晶圓缺陷量測與化學分析之完整解決方案與經驗，深具「自製設備」與「晶圓再生服務」之國際競爭力。

辛耘建立「SCIENTECH」品牌，藉由自製設備高階單晶圓濕製程設備、 高階批次式濕製程設備、先進封裝製程設備與暫時性貼合及剝離設備(TBDB)，成功將市場自台灣逐步擴展至中國、韓國、新加坡、馬來西亞、歐洲與美國等國際舞台。截至目前在高階濕式製程設備，已經成功打入台積電、Amkor、聯電、 美光、日月光、穩懋、晶電、台灣光罩、晶技.....等供應鏈。

在晶圓再生服務方面，辛耘專注於 12 吋矽晶圓再生服務，製程能力朝更先進之 5 奈米與 3 奈米製程邁進，辛耘是國內唯一將銅製程與非銅製程分離之廠商，目前為國內前三大 Si 晶圓再生廠商。除了 Si 晶圓外，辛耘提前布局第三類半導體材料，目前已開發完成氮化鋁(AlN)晶圓表面加工技術，並建構完成碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)晶圓再生產線，目前是國內唯一 SiC 長晶後全製程及晶圓再生之廠商。

以下為辛耘的產品和服務:

(1)自製設備

(a)濕式製程設備

辛耘提供批次及單晶圓濕式製程設備，用於清洗、蝕刻、去光阻等。

@單晶圓濕製程設備(Single Wafer Wet Process)

Polar系列是辛耘的單晶圓(Wafer)表面處理系統，應用了FEoL研究成果和積累的相關領域專業經驗。該系統為先進的清洗(Clean)和蝕刻(Etching)製程提供了卓越的性能和可擴展性，具有高吞吐量和更小的佔地面積。憑藉業界公認的高可靠性和生產力，不斷發展技術以滿足客戶要求並創造全新的高級清潔解決方案，成為領先的國產單晶圓濕製程處理設備(Single Wet Equipment)。

@批次式晶圓濕製程設備 (Wet Bench Process)

WS系列是辛耘最先進的具有成本效益的晶圓(Wafer)系統解決方案，可在一個批次中最多處理 50 片晶圓(Wafer)，並有多個槽體適用於各種化學品。支持薄膜前清洗(Clean)、蝕刻(Etching)、蝕刻後清潔和光阻剝離(Strip)等傳統濕法製程。全新開發的設備功能，可實現更小佔地面積、卓越生產力、極佳清潔效果的批次設備(Bench Wet Equipment)。

辛耘的濕式製程設備主要應用於半導體前段製程，IIIV 族半導體前段製程及製程更新(取代美日進口機台)，12”及 8”先進封裝（AdvancedPackage）：Bumping/WLP/Fanout/SiP/TSV/2.5DIC/3DIC，微機電（MEMS），HBLED 全自動前段製程 for 背光與照明。

(b)暫時性貼合及剝離設備 (Temporary Bonding and Debonding Systems)

辛耘提供暫時性貼合設備，暫時性剝離設備，解離層塗佈設備，承載盤清洗設備。

Pyxis系列是辛耘與國際大廠3M多年合作而開發的化學塗層、晶圓轉移、紫外光固化等前沿技術，成為業界頂尖的暫時性貼合/解貼合設備並成功銷售至歐洲與東南亞地區，投入先進晶圓製程中穩定生產。 廣泛應用在BGBM (Backside Grinding & Backside Metallization)中的暫時性貼合(Temporary bonding)和解貼合(Temporary de-bonding)製程、和其他各種類型元件的晶圓(Wafer)貼合提供先進的解決方案。

辛耘的暫時性貼合及剝離設備主要應用於IGBT功率元件及半導體先進封裝。

(2)晶圓再生

包含(1)12”矽(Si) 晶圓再生，(2)碳化矽(SiC) 長晶後全製程及晶圓再生。

再生晶圓產線係以生產成熟製程再生晶圓為主。

(3)代理設備

辛耘公司代理五十餘產品線，包含代理半導體、光電產業、LCD、LED、太陽能等產業量測設備、製程設備、化學分析設備儀器與材料銷售。

產業概況

所謂的濕製程，主要是清洗及蝕刻，濕製程用半導體濕式製程用機台，濕式化學晶圓製程機台利用化學浸泡的方式進行半導體製程。

晶圓濕式設備市場包括在製造過程中用於晶圓濕式清洗的半導體製造設備部分，與封裝清洗。這些清潔製程對於去除晶圓表面的污染物、顆粒、殘留物和其他雜質至關重要，從而確保在其上製造的半導體裝置的品質和可靠性。市面上有各種各樣的濕式清洗設備，例如批量清洗工具、單晶圓清洗系統......，每種設備都提供不同的清洗能力和效率，以滿足半導體製造商的多樣化需求。濕製程設備屬於耗材設備，平均產品生命週期為 5~8年。

濕製程設備，由於應用之製程多 (洗 、顯影、去光阻、蝕刻…），佔半導體廠設備資本支出之15%。在先進封裝製程，主要用於金屬蝕刻 (UBM etch)，晶圓清洗 (Wafer clean)，光阻去除 (PR Strip)，助焊劑清洗 (Flux clean)，凸塊清洗 (bump scrubbing)，金屬化鍍機 (Electro-less plating)。

半導體製造對更高純度等級的需求不斷增長，推動了晶圓濕式清洗設備市場的機會。隨著半導體裝置變得越來越小、越來越複雜，對晶圓的清潔度要求不斷提高，這為濕式清潔設備製造商創造了開發創新解決方案的機會，這些解決方案可以實現更高的清潔性能並滿足先進半導體製程的嚴格要求。

晶圓再生

在矽晶圓的分類上，可依尺寸大小或使用特性而有不同的區分方式，而因應大尺寸化的趨勢，12 吋矽晶圓已是目前的主流產品，若依其性質可分為二大類，亦即產品晶圓及測試晶圓。測試晶圓(Test Wafer)其用途在監控製程的穩定性。其種類可再分為製程 Monitor 用與檔片(Dummy)。

晶圓再生(Reclaim Wafer)代工服務係提供半導體廠在大量生產製造IC產品晶圓前，定期或定量使用於設備機台潔淨度的測試、製程參數之調整及最佳化、製程之監控；以化學沉積製程而言，則沈積各種不同薄膜(例如：氧化膜、多晶矽膜、氮化矽膜等)，再對這些測試晶圓上之薄膜做電性及物性之量測，就這些量測結果作為控制厚度、均勻度的重要製程參數之調整及最佳化之參考用。同樣道理，爐管區、黃光區、金屬薄膜區內各個重要機台製程的監控都相當重要。顯然地，為保持最佳之製程良率這些的擋控晶圓(Control Wafer)是大量製造過程中之必要耗材。若使用再生晶圓相對於新的測試晶圓 （Virgin Test Wafer）則可節省許多晶圓材料的營運成本。

再生晶圓的市場成長動力主要來自於：(1)半導體製造業者的產能擴充；(2)矽晶圓材料價格的上漲-業者在成本壓力會提高再生晶圓的使用來降低製程控片的成本；(3)新的矽晶圓設計與製造(或先進製程的轉進)-當製程朝向更微型化發展時，對於精度要求與複雜度的考量下，將增加製程中的監控頻率，使得控片的使用量增加，間接帶動再生晶圓的需求。故再生晶圓市場需求往往受到晶圓代工產業之產能利用率及產品價格之影響。

AI 熱潮加速台積電積極佈局晶圓代工先進製程，主要係全球半導體先進製程在蘋果、英特爾（Intel）、輝達、超微、聯發科及高通 （Qualcomm）等業者對台積電 3 奈米製程產能需求大增情況下， 惟台積電 3 奈米製程良率仍在爬升情況下，則需要使用到大量的再生晶圓，將使再生晶圓需求量全面大增。台積電持續投入資本支出興建 2 奈米廠，為維持優勢亦開始布局 1 奈米廠及先進封裝廠，伴隨製程愈先進，晶圓光罩層數也不斷墊高，生產過程更複雜，也讓黃光區、金屬薄膜區等設備測試需求增加，再生晶圓的用量亦同步增加。

過往 65 奈米製程，每十片正片需要耗用六片檔控片，28 奈米以下製程，每十片正片需要 15 至20 片檔控片，3 奈米及 2 奈米使用量更是持續增加。

辛耘，是一家半導體濕製程設備，暫時性貼合及剝離設備，晶圓再生，代理設備公司。近5年ROE為17%，17%，14%，11%，13%。毛利率為32%，37%，36%，41%，35%。資產負債率為79%，76%，62%，41%，28%。2023年銷售設備和晶圓再生佔營收32%，代理佔營收68%。銷售區域以內銷佔33%，外銷佔67%，其中台積電佔公司營收為13.44%。公司研發設備佔設備營收比例為15.7%。

競爭

辛耘在半導體濕製程設備主要競爭對手在國際有DNS，TEL，Apply Material，LAM ，S.E.S，SEMES，Screen.....等等。在台灣有弘塑，嵩展。

在再生晶圓方面，辛耘競爭對手有台灣的昇陽半導體，中砂。日本有RS tech 及 HAMADA。在12”晶圓再生市場部分，截至目前辛耘市佔率約為20%。

景氣循環

公司之景氣循環易受IC及半導體產業景氣之影響。若總體經濟衰退致使消費意願低迷，將影響整體電子產品之銷售，各半導體廠若無擴廠計劃，將影響公司業務、財務狀況及經營實績，加上半導體廠之擴廠計劃係配合其資本支出預算，以批次作為採購之原則，通常同批次之擴廠多要求短期內所有相關設備一次到位之行業特性，使得客戶訂單交期集中化，導致產能安排之困難度提高。 

半導體設備業與半導體產業之發展息息相關，此外若半導體景氣復甦，則客戶因應擴廠之設備需求訂單勢必相對集中，造成其營收波動性較其他產業為劇烈之行業特性。

趨勢

(1)先進封裝技術漸成主流，帶來新製程設備商機

半導體產品在由二維向三維發展，從技術發展方向，半導體產品出現了系統級封裝(SiP)等新的封裝方式，從技術實現方法出現了覆晶(Flip Chip)， 凸塊(Bumping)，晶圓級封裝(Wafer Level Package)，2.5D 封裝(interposer，RDL 等)，3D 封裝(TSV)...等先進封裝技術。

(2)單片晶圓濕製程設備為主流

單片晶圓濕製程設備具有較高的製程環境控制能力與微粒去除率，加上佔地面積小、化學品與純水耗量少、極富彈性的製程調整能力等優點，使其成為半導體濕製程設備的主流，其產品未來發展趨勢如下：

控制容易、良率高 

在降低生產成本的考量下，未來晶圓尺寸將越趨於大型化，而積集度也將越高，每片晶圓的特性差異將越大，其加工製作所需條件也隨之改變 ，在此種特性下求取高良率，勢必得在一較小的高密閉環境中，予以嚴格的溫、溼度控制與高彈性化的製程條件或配方。 

機台佔地面積小 

因為旋轉清洗設備，藉由各種獨立化學品源的噴射機構，來取代傳統每 一種化學液佔據一清洗槽的設計方式，不僅省略了清洗槽的設置，也直接減少機台的面積，這使得潔淨室的空間將能予以充分利用。 

減少化學品、廢液與廢氣排放 

由於僅處理單一晶圓，而且製程環境縮小，加上以噴嘴方式僅將化學液或純水直接噴灑於晶圓上，再利用回收過濾系統，大大降低化學品與純水消耗量，也減少廢液與廢氣量的排放，既降低生產成本也兼顧環保要求。 

多項功能集於一身 

由於旋轉設備的噴灑頭(Dispenser)能提供多樣獨立的化學品、純水與氮氣，再加上多槽式(Multiple chambers)設計，使得各種不同製程均能安排 在同一機台上，增加彈性運作安排的空間。尤其再搭配晶片傳送自動化與化學品獨立回收再利用系統，旋轉清洗設備將構成一個完整的製程運作體系。 

與分子力結合 

隨著晶圓積集度以及 IO 數目的提高，使得層數越來越多、線寬越來越窄，遂造成高深寬比(Aspect ratio)的現象。當這個比值高到某一個程度，將使得離心力與壓力差無法把深溝中的化學液、反應產物或純水帶離，而造成髒污殘留或水痕，間接使 IC 元件電氣特性變差、生產良率降低。唯有再搭 配分子力(Atomic force)或化學蒸氣等方法，例如表面張力、濃度差擴散、凡得瓦力(Van der Walls)與 Vapor HF、IPA，才有機會達成目標。